【上证电子】2024年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求乐观,台积电加码2/3nm先进制程 ——电子行业周报
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2025-05-20 22:33:34

(转自:上海证券研究)

◼  市场行情回顾

过去一周(05.12-05.16),SW电子指数下跌0.75%,板块整体跑输沪深300指数1.86个百分点,从六大子板块来看,消费电子、光学光电子、元件、其他电子Ⅱ、半导体、电子化学品Ⅱ涨跌幅分别为1.12%、0.26%、0.19%、-1.49%、-1.69%、-1.79%。

◼  核心观点

SiC衬底市场2024年营收年减9%,但长期需求乐观5月12日,根据TrendForce集邦咨询最新研究显示,受2024年汽车和工业需求走弱,SiC衬底出货量成长放缓,与此同时市场竞争加剧、产品价格大幅下跌,导致2024年全球N-type(导电型)SiC衬底产业营收年减9%,为10.4亿美元。从主要厂商的市占情况来看,Wolfspeed仍维持第一名,2024年市占率达33.7%。尽管近年面临较大的运营挑战,Wolfspeed仍是SiC材料市场最重要的供应商,并引领产业向8英寸衬底转型。中国厂天科合达和天岳先进近年发展迅速,2024年二者市占率相差无几,分别以17.3%和17.1%位列第二、三名。从衬底尺寸观察,由于现行主流的6英寸SiC衬底价格快速下降,以及8英寸SiC前段制程的技术难度较高,加上市场环境剧烈变化,预计6英寸衬底将持续占据SiC衬底市场的主导地位。但8英寸衬底是进一步降低SiC成本的必然选择,且有助SiC芯片技术升级,吸引各大厂商积极投入。在此情况下,TrendForce集邦咨询预估8英寸SiC衬底的出货份额将于2030年突破20%

关税引致新一轮备货潮,三星或将调涨DRAM芯片价格5月13日,据韩国媒体ETNews报道,受到美国关税战掀起客户提前备货潮的带动,三星电子因客户需求高涨,决定顺势调涨DRAM芯片的价格。报道称,三星已经在跟客户签订的新合约中大幅调涨DDR5、DDR4 DRAM报价。其中,DDR4的涨价幅度为20%、DDR5则涨价5%,但会因客户不同而略有差异。2024年DRAM产业供给过剩,导致DRAM均价普遍下跌。根据部分机构统计,2024年下半年DRAM均价大跌约21%。但是随着消费电子市场需求的逐渐回暖,以及AI对于DRAM需求的持续增长,推动了DRAM价格今年开始回升。叠加4月以来美国关税政策引发的骨牌效应,推动了相关企业抢在关税生效前提前备货,让三星产品需求大增,促使该公司调涨价格。

台积电2025年将9座工厂,3nm产能将增加60%5月15日,据台媒《经济日报》报道,台积电院士、营运/先进技术暨光罩工程副总经理张宗生于5月15日在台积电技术论坛中国台湾专场上提到,台积电2025年将在中国台湾与海外扩建9个厂,其中包含8个晶圆厂以及1个先进封装厂。张宗生指出,2025年3nm产能预计年增加60%,2025年下半年将开始量产2nm。CoWoS持续扩充,海外美国厂与日本厂加入量产良率和台湾母厂相近。张宗生还提到,AI驱动晶圆需求持续放大,台积电产能也在持续扩张。预计今年台积电在中国台湾与海外扩建9个厂,包含八座晶圆厂以及一座先进封装厂。台积电过去平均每年盖5个厂,中国台湾方面台中Fab 25厂预计2028年量产2nm与更先进技术,高雄预计建五座晶圆厂包含A16与更先进制程技术。

2

风险提示

中美贸易摩擦加剧、终端需求不及预期、国产替代不及预期。

  报告名称:《2024年碳化硅衬底市场遇冷但长期需求乐观,台积电加码2/3nm先进制程——电子行业周报(2025.05.12-2025.05.16)》

       分析师: 王红兵

       SAC编号:S0870523060002

       分析师: 方晨 

       Tel: 021-53686475 

       SAC 编号: S0870523060001

研报发布日期:2025年5月19日

发布机构: 上海证券有限责任公司

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