东芯半导体集成电路布图设计获国家知识产权局公告
近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，东芯半导体股份有限公司提交的一款名为“基于1.8V 55纳米512M NOR FLASH内部基准电压源”的集成电路布图设计正式获得专有权公告，相关登记信息已纳入国家知识产权局官方公示名录。本次布图设计的获批，标志着东芯半导体在NOR FLASH存储芯片核心配套电路领域的自主研发成果获得官方知识产权确权，将为其相关存储产品的技术落地与市场推广提供坚实的知识产权支撑。
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 发布时间 | 2026年9月2日 |
| 布图设计登记号 | BS.265558131 |
| 布图设计申请日 | 2026年4月16日 |
| 公告日期 | 2026年9月2日 |
| 公告号 | 98980 |
| 布图设计名称 | 基于1.8V 55纳米512M NOR FLASH内部基准电压源 |
| 布图设计权利人 | 东芯半导体股份有限公司 |
| 布图设计创作人 | 黄建 |
| 布图设计创作完成日 | 2023年12月26日 |
从本次公示的完整信息来看，该款布图设计的创作完成日为2023年12月26日，由研发人员黄建主导完成相关设计工作，东芯半导体股份有限公司作为唯一权利人持有该布图设计的全部专有权。该布图设计于2026年4月16日正式向国家知识产权局提交登记申请，经审查通过后，于2026年9月2日正式发布公告，对应的布图设计登记号为BS.265558131，公告号为98980，相关公示信息的发布时间与公告日期保持一致，充分体现了集成电路布图设计知识产权确权流程的规范性与公开透明度。
天眼查数据显示，东芯半导体股份有限公司成立日期2014年11月26日，法定代表人蒋学明，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业类型为股份有限公司(上市、自然人投资或控股)，企业规模为中型，参保人数150人，注册资本44237.7391万人民币，实缴资本44237.7391万人民币，注册地址为上海市青浦区赵巷镇沪青平公路2875号3幢13层B区1336室。股东信息如下：
| 股东名称 | 持股比例 | 认缴出资额（万元） | 认缴出资日期 |
|---|---|---|---|
| 东方恒信集团有限公司 | 51.0196% | 14321.3025万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 齐亮 | 10% | 2807.0175万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙） | 10% | 2807.0175万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 苏州东芯科创股权投资合伙企业（有限合伙） | 8.0156% | 2250万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 珠海横琴中金锋泰股权投资合伙企业（有限合伙） | 6.25% | 1754.386万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 杭州时代鼎丰创业投资合伙企业（有限合伙） | 3.75% | 1052.6316万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 董玮 | 3.125% | 877.193万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 深圳市前海鹏晨源拓投资企业（有限合伙） | 3.125% | 877.193万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 上海小橡创业投资合伙企业（有限合伙） | 2.5% | 701.7544万元人民币 | 2018年10月31日 |
| 杨荣生 | 2.2147% | 621.68万元人民币 | 2018年10月31日 |
点评分析
本次东芯半导体这款NOR FLASH核心配套电路布图设计获国家知识产权局专有权确权，是其在存储芯片自主研发领域的重要成果落地。该专有权将为公司相关产品的技术迭代、市场推广筑牢知识产权护城河，强化其在存储赛道的核心竞争力，为后续业务拓展提供坚实支撑。
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