AI服务器“虹吸式”的强大需求，依旧是推动存储市场变化的核心驱动力。

5月27日见证了存储界的又一里程碑——全球最大的三家DRAM（动态随机存取内存）存储企业三星电子、SK海力士和美光均实现了市值突破万亿美元，折射出AI热潮带来的存储芯片行业的超级周期仍然在延续。

截至韩国时间27日约14点30分，三星电子涨2.68%至30.7万韩元/股，SK海力士涨9.31%至224.3万韩元/股。受此带动，韩国综合股价指数（KOSPI）27日涨2.25%至8228.7点，连日刷新历史纪录。而美光科技在26日大涨19.29%、实现市值破万亿美元之后，截至美东时间27日8时，其在美股盘前延续涨势，一度上冲超过9%，至980美元/股。

“AI服务器‘虹吸式’的强大需求，依旧是推动存储市场变化的核心驱动力。”群智咨询总经理李亚琴向第一财经记者分析，它使高带宽内存（HBM）的需求始终保持旺盛状态。

一季度营收创新高、二季度价格继续大涨

调研公司Counterpoint Research的最新研报显示，2026年第一季度，全球 DRAM营收环比增长80%、同比增长260%，达到970亿美元的历史新高。三星存储业务持续保持领先地位，SK海力士与美光分列第二、第三位。

全球存储行业一季度实现营收新高的背后，是在全球存储强劲的市场需求与存储价格双双走强的推动；高带宽内存（HBM）以及AI数据中心基础设施中LPDDR5应用占比提升，也成为推动这一增长的重要因素。

三星于2026年第一季度取得38%的市场份额，进一步扩大对SK海力士的领先幅度。去年，这两家公司在DRAM营收排名之争中竞争激烈，直到三星于2025年第四季度重新回到榜首。

而SK海力士2026年第一季度在全球存储市场的份额为29%；美光同期的份额为22%，该公司正积极扩大产能，以满足更多市场需求并进一步提升市场份额。

2026年第二季度，全球市场延续超级存储周期，供需短缺贯穿全季度。AI算力需求主导产能分配，消费电子用DRAM与NAND闪存（非易失性存储芯片）供应紧张局面未缓解。另一调研公司群智咨询（Sigmaintell）预测，二季度存储价格继续大幅上行。

二季度，以LPDDR4X、LPDDR5X 为主的消费电子DRAM合约价延续强劲的上涨态势，在消费电子端，手机应用端DRAM合约价环比上涨约90%，而DDR4合约价涨幅比一季度趋缓，但涨幅仍高达约50%。

李亚琴表示，在消费电子领域，需求呈现两极分化的态势。中高端终端产品由于对性能和体验的追求，其存储规格难以向下调整，这就使得对应DRAM的需求具备较强的刚性，无法通过降低规格来缓解成本压力。与之相反，低端消费电子市场对价格极为敏感，价格的上涨显著抑制了其需求，进而导致这部分DRAM的整体需求出现下滑。

从供应端看，随着高附加值内存产品迈入量产阶段，其复杂的工艺不仅增加了生产难度，而且单位晶圆产能的消耗更为显著，这无疑进一步压缩了消费端DRAM的产能空间。与此同时，存储原厂的库存处于历史低位水平，扩充产能的能力有限，并且在产能分配上优先满足AI客户的需求，使得消费端DRAM的供应进一步收紧。

存储行业近期出现局部扩产，但未改短缺的局面。当地时间5月22日，美光在美国弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂（Fab 6）开始投产1α nm制程的DRAM产品，包括LPDDR4和DDR4，主要供应给汽车、国防航天、工业、网通及医疗等关键领域客户。

TrendForce集邦咨询5月26日发布的存储器产业研究报告认为，Fab 6扩产主要反映美光内部的产能配置调整，不影响DDR4供给短缺格局。美光将调整Fab 6的生产重心至LPDDR4及DDR4，并以前者为主，预估该厂整体投片量将于2027年第四季成长至2026年第二季的1.5倍。其中，1α nm的投片将于2026年底开始量产，并于2027年提升投片至四倍规模。

由于美光在中国台湾的另一家工厂（OMT）的1α nm产品将逐季减产，转而更聚焦DDR5、HBM等主流量产规格的存储器生产，美光整体上的DDR4与LPDDR4并无扩产的规划。因此，TrendForce集邦咨询预计2026年DDR4将持续缺货，价格维持上行。

在此情况下，美光科技5月26日的股价应声而起，突破万亿美元市值。一位存储行业的资深分析师向第一财经记者表示：“因为明年（2027年）仍然缺DRAM，全球DRAM短缺的局面预计要到2028年才会改变。”

“SK海力士的存储产品竞争力不亚于美光，没有理由市值低于美光。”上述分析师说，所以继三星电子市值在三周前突破1万亿美元之后，美光、SK海力士这两天也相继进入市值万亿美元俱乐部。SK海力士成为韩国第二家市值破1万亿美元的企业，距离三星电子5月6日成为继台积电后第二家亚洲市值过万亿美元企业，仅过去3周。

为何能从“叫苦连连”到超级周期

三年前，全球存储行业在2023年4月还在为DRAM芯片价格何时能触底反弹而叫苦连连。存储芯片作为最具有周期性的芯片品类之一，一向有半导体行业“晴雨表”之称，但当时的下行周期的价格下跌幅度和持续时间都超出了业界预期。如今，三大存储巨头都突破了万亿美元的市值，存储的合约价格仍然在继续大幅上涨，难道存储行业的周期消失了吗？

在李亚琴看来，本轮存储涨价时间比较长，在当前背景下将存储放在供需逻辑下来看，仍处于供不应求或者供货紧缺状态。来自AI算力中心背后的AI需求量激增，ChatGPT、豆包、DeepSeek等全球AI大模型月活和周活用户量超过十亿，全球有近20%的用户人口在使用AI，带来对算力以及模型的推理训练大规模的需求爆发。

“AI算力的建设处于刚刚开启的过程中，整体产业处于基础设施建设过程中，存储的供不应求将长期存在，一方面AIGC产业基础设施建设并非短期需求，另一方面目前缺货不仅仅是存储，围绕AI算力中心建设的大部分零部件都在短缺，所以这是系统性需求增加带来的系统性供不应求。AI算力中心所用芯片需求2025年约1530亿美元，2026年预计将达到2680亿美元的规模，同比增长75%。

“两位数的增长来自于需求层面，供应层面则是存储产能扩产计划已提前确定，基本上可以预测2026年存储供应量全球同比只有7%至8%的增长。由于产能供应缓增长以及供需失衡，使存储产能对消费电子形成了比较大的排挤，尤其是新增产能部分主要用于供应AI算力中心GPU的HBM，产能倾斜非常不利于消费电子，因此DRAM涨价持续时间会较长。李亚琴预计，因为2025年第四季度至2026年一季度涨幅非常大，DRAM价格2026年下半年涨幅会收窄，一部分存储的价格可能会止涨，但是并不能很短时间内看到存储价格的回落。

本轮行情核心是存储行业进入“分层周期、结构性超级景气”阶段，而非周期消失。传统存储产品过去几十年的周期逻辑，由手机、PC消费电子库存、淡旺季主导，呈现“全面涨价—扩产—过剩—暴跌亏损”的强波动闭环，全行业同涨同跌、盈亏同步。

而当前行业呈现双轨周期分化：一方面，AI算力驱动的HBM、企业级高端DRAM/NAND属于长景气成长赛道，云厂商资本开支、AI算力建设是3~5年长期确定性需求，叠加高端产能、技术壁垒极高，供需长期紧平衡，周期波动大幅钝化；另一方面，传统消费级存储（普通DDR、消费级闪存）仍保留原有短周期波动属性，依旧受终端消费需求、库存变化影响，存在涨跌轮换。

业内分析人士提醒说，理性看待本轮万亿市值的行情。三大存储巨头估值增加，并非市场彻底抛弃周期逻辑，而是资本市场对“高端成长+传统周期”分层格局的重新定价，行业从“普涨普跌的强周期”，转向“结构性分化、弱波动、长上行”的全新形态。

此外，存储巨头克制扩产与向AI产品结构性倾斜，也改写了过往产能周期规律。

过往存储行业崩盘的核心诱因，是行业景气期全员激进扩产，1~2年后产能集中释放引发严重过剩。但本轮上行周期，三大万亿巨头彻底摒弃过往粗放式扩产模式，形成总量克制、结构倾斜、产能错配的新产能格局，是本轮行情持续的核心产业支撑。

从整体产能来看，头部厂商严格控制整体晶圆产能增量，2026~2027年全球DRAM、NAND整体产能增速维持低位，无大规模新增产能落地，行业不会出现过往式产能过剩。从产能结构来看，巨头将约六成的先进制程、优质产能倾斜至高毛利AI存储产品（HBM、高端DDR5、企业级闪存），主动压缩传统消费级存储产能。

这种结构性产能调整，直接造成双重供需格局：高端AI存储持续紧缺、供需缺口长期存在，行业预判短缺延续至2027年后；传统消费级存储供给平稳、竞争温和。同时，高端存储新产能建设周期长达2~3年，2028年前难以形成有效增量，规避了过往“涨价即扩产、扩产即崩盘”的周期魔咒，也是三巨头盈利稳定性、估值持续抬升的核心原因。