5月17日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利。申请公布号为CN122054611A,申请号为CN202610144599.9,申请公布日期为2026年5月15日,申请日期为2026年2月2日,发明人张子文、赵晓燕、林笛,专利代理机构北京磐华捷成知识产权代理有限公司,专利代理师于沈阳,分类号H10D1/68。
专利摘要显示,一种半导体器件及其制造方法,制造方法包括:提供基底,并在基底中形成深沟槽;在基底表面以及深沟槽的底部和侧壁形成电容叠层结构;在第二电极材料层上形成电极保护层;去除位于基底表面的部分电极保护层和部分电容叠层结构,由剩余的电容叠层结构形成深沟槽电容器;在电极保护层上形成覆盖结构层,以及对覆盖结构层进行刻蚀以形成贯穿覆盖结构层的通孔,其中,刻蚀停止于电极保护层;形成金属互连结构,金属互连结构的至少部分填充于通孔内。本申请使得在刻蚀覆盖结构层以形成通孔的过程中,刻蚀工艺能够受控地停止于电极保护层,避免了刻蚀工艺因工艺偏差对第二电极层造成过刻蚀损伤。
芯联集成于2018年3月9日成立,2023年5月10日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于浙江省绍兴市。该公司是国内在MEMS和功率器件领域具有一定影响力的企业,专注晶圆代工及模组封测业务,提供一站式系统代工解决方案。
芯联集成主营业务为MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,为客户提供一站式系统代工解决方案。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,所属概念板块包括第三代半导体、中芯国际概念、灵巧手。
2025年,芯联集成营业收入81.8亿元,在行业7家公司中排名第5,远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹公司的172.91亿元,也低于行业平均数166.12亿元和中位数108.85亿元。其主营业务中,集成电路晶圆制造代工59.83亿元,占比73.15%;模组封装15.08亿元,占比18.43%;研发服务及其他3.98亿元,占比4.87%;其他(补充)2.9亿元,占比3.55%。净利润方面,2025年为 - 19.33亿元,在行业7家公司中排名第7,而第一名中芯国际净利润72.09亿元,第二名赛微电子13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。
芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 电容麦克风、半导体结构及其测试方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610365274.3 | 2026-03-24 | CN122054060A | 2026-05-15 | 傅思宇、姚阳文 |
| 2 | 霍尔器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610321598.7 | 2026-03-17 | CN121888864A | 2026-04-17 | 黄艳、赵晓燕 |
| 3 | 套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610325340.4 | 2026-03-17 | CN121978872A | 2026-05-05 | 李忠仁、赵晓燕、何福秀 |
| 4 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610201260.8 | 2026-02-11 | CN122054671A | 2026-05-15 | 黄艳、赵晓燕 |
| 5 | MEMS器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610173899.X | 2026-02-06 | CN121974292A | 2026-05-05 | 胡永宝、姚阳文、徐泽洋 |
| 6 | 高压电容隔离器及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610156455.5 | 2026-02-04 | CN121645907A | 2026-03-10 | 徐涛、王旭、刘晓雪 |
| 7 | MEMS器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610161355.1 | 2026-02-04 | CN122054059A | 2026-05-15 | 王鹏 |
| 8 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610144599.9 | 2026-02-02 | CN122054611A | 2026-05-15 | 张子文、赵晓燕、林笛 |
| 9 | 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610075516.5 | 2026-01-20 | CN121888936A | 2026-04-17 | 张涛、王旭 |
| 10 | 用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610075821.4 | 2026-01-20 | CN122028704A | 2026-05-12 | 李忠仁、赵晓燕、何启庆 |
| 11 | 负性光刻胶去边方法 | 发明专利 | 公布 | CN202512047655.5 | 2025-12-31 | CN121657384A | 2026-03-13 | 张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩 |
| 12 | 封装件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512031182.X | 2025-12-30 | CN121772812A | 2026-03-31 | 徐达武、龚俊能 |
| 13 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994715.8 | 2025-12-26 | CN121728807A | 2026-03-24 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 14 | 电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994584.3 | 2025-12-26 | CN121772735A | 2026-03-31 | 黄艳、赵晓燕、钟鹏 |
| 15 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511980858.3 | 2025-12-25 | CN121712052A | 2026-03-20 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 16 | 输出芯片及光控继电器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511953919.7 | 2025-12-23 | CN121814072A | 2026-04-07 | 李宝杰、任文珍、丛茂杰 |
| 17 | 一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511882683.2 | 2025-12-15 | CN121310023B | 2026-04-14 | 傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文 |
| 18 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511868002.7 | 2025-12-11 | CN121645906A | 2026-03-10 | 秦永山、王旭 |
| 19 | 晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202511867408.3 | 2025-12-11 | CN121682332A | 2026-03-17 | 王颖、康栋、李鹏、孙海丽 |
| 20 | 一种MEMS加速度计及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511852166.0 | 2025-12-10 | CN121276091A | 2026-01-06 | 马玉莎、张兆林、王红海 |
| 21 | 屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511837217.2 | 2025-12-08 | CN121645929A | 2026-03-10 | 刘书晓、周圣杰 |
| 22 | 高压半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511834633.7 | 2025-12-08 | CN121310568B | 2026-03-24 | 谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽 |
| 23 | 麦克风及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511824007.X | 2025-12-05 | CN121262521B | 2026-03-31 | 唐丽文 |
| 24 | 产品检测方法、装置、存储介质和电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202511823575.8 | 2025-12-05 | CN121276286B | 2026-05-01 | 孙海丽、康栋、王颖、李鹏 |
| 25 | RC-IGBT及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511808670.0 | 2025-12-03 | CN121310558A | 2026-01-09 | 唐伟闻、余龙 |
| 26 | 纳米探针的修复方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511810106.2 | 2025-12-03 | CN121522223A | 2026-02-13 | 李帅 |
| 27 | 用于CESL特性测试的测试版图及测试结构 | 发明专利 | 公布 | CN202511764655.0 | 2025-11-27 | CN121568558A | 2026-02-24 | 吴桥伟 |
| 28 | 基片背面缺陷标记方法及标记设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511753460.6 | 2025-11-26 | CN121616539A | 2026-03-06 | 张良敏、许大建 |
| 29 | 虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511742208.5 | 2025-11-25 | CN121598081A | 2026-03-03 | 康栋、孙海丽、王颖、李鹏 |
| 30 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511682862.1 | 2025-11-17 | CN121548044A | 2026-02-17 | 孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑 |
| 31 | 提高键合晶圆机械强度的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511671695.0 | 2025-11-14 | CN121493865A | 2026-02-10 | 陆晓龙、王红海、姚阳文 |
| 32 | 薄膜沉积方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511664756.0 | 2025-11-13 | CN121428522A | 2026-01-30 | 李官勐、左中伟、李乾伟、王志军、王颖超 |
| 33 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511665207.5 | 2025-11-13 | CN121815687A | 2026-04-07 | 裴博、吴荣成、周旭、杨晓寅、陈连旭 |
| 34 | 一种半导体器件及其制备方法和电子装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511655487.1 | 2025-11-12 | CN121398101A | 2026-01-23 | 张俊龙、黎震宇、王琛、刘国安 |
| 35 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511647250.9 | 2025-11-11 | CN121536877A | 2026-02-17 | 王宇、陆晓龙、姚阳文 |
| 36 | IGBT结构及其制备方法、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511628929.3 | 2025-11-07 | CN121510604A | 2026-02-10 | 张玉琦、戴银、任文珍、丛茂杰 |
| 37 | 掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511613526.1 | 2025-11-06 | CN121232519A | 2025-12-30 | 张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬 |
| 38 | 一种绝缘体上硅衬底及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511606930.6 | 2025-11-05 | CN121078798B | 2026-03-24 | 魏翔、王琛 |
| 39 | 统计过程控制方法、装置、设备及存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511589900.9 | 2025-11-03 | CN121350142A | 2026-01-16 | 周暐、李悦、孙海丽、项林、高菲燕 |
| 40 | 一种半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511540384.0 | 2025-10-27 | CN121398069A | 2026-01-23 | 姚泽辉、李婧、张文博、金善武 |
| 41 | 屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511513621.4 | 2025-10-22 | CN121357933A | 2026-01-16 | 徐西贤、阚志国 |
| 42 | 沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511513278.3 | 2025-10-22 | CN121368377A | 2026-01-20 | 李宏伟、王旭 |
| 43 | 一种功率半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511474976.7 | 2025-10-15 | CN121174537A | 2025-12-19 | 胡俊杰、任文珍 |
| 44 | 半导体器件及基于其的接合状态检测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511422267.4 | 2025-09-30 | CN121358260A | 2026-01-16 | 王涛、王红海 |
| 45 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511391055.4 | 2025-09-26 | CN121335132A | 2026-01-13 | 徐鹏、王琛、刘国安 |
| 46 | 监控结构、芯片、监控方法及光刻工艺控制系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511362916.6 | 2025-09-23 | CN121276894A | 2026-01-06 | 周义鹏、李福松、吴荣成、周旭 |
| 47 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511328616.6 | 2025-09-17 | CN121174546A | 2025-12-19 | 周圣杰、阚志国、李远哲 |
| 48 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511318736.8 | 2025-09-16 | CN120824256B | 2025-12-23 | 黎震宇、吴梦圆、张俊龙、王琛、刘国安 |
| 49 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511318587.5 | 2025-09-16 | CN120824255B | 2026-02-24 | 黎震宇、张俊龙、吴梦圆、王琛、刘国安 |
| 50 | 静电放电保护电路和电子器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511314048.4 | 2025-09-15 | CN121355852A | 2026-01-16 | 阳平、任文珍、丛茂杰 |
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