1月10日消息，国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种电子元器件及其制作方法”的专利。申请公布号为CN121311071A，申请号为CN202511455100.8，申请公布日期为2026年1月9日，申请日期为2025年10月13日，发明人陆飞、王艾琳、于海超，专利代理机构苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师田媛，分类号H10W70/69、H10W70/692、H10W70/05、H05K1/02、H05K3/00。

专利摘要显示，本发明公开一种电子元器件及其制作方法，包括器件基板以及覆在所述的器件基板表面的绝缘层，所述的绝缘层包括生长在所述的器件基板的表层的氧化硅层以及在所述的氧化硅层表面形成的富氮的氧氮化硅层。该电子元器件的制作方法，包括绝缘层生成步骤：在器件基板表面先生长一层氧化硅，然后在高温下通入含氮气体进行退火处理，使氮原子掺入氧化硅层，形成表面富氮的氧氮化硅层。本申请可以使氧氮化硅和氧化硅充分发挥各自优势，具有绝缘层均匀性高、稳定性好、耐高温、耐腐蚀，产品使用过程中稳定性高的优点。

天眼查数据显示，强一半导体（苏州）股份有限公司成立日期2015年8月28日，法定代表人周明，所属行业为仪器仪表制造业，企业规模为中型，注册资本9716.9418万人民币，实缴资本9716.91175万人民币，注册地址为苏州工业园区东长路88号S3幢。强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息280条，拥有行政许可20个。

强一半导体（苏州）股份有限公司近期专利情况如下：

风险提示：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方财汇数据库自动发布，任何在本文出现的信息（包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等）均只作为参考，不构成个人投资建议。受限于第三方数据库质量等问题，我们无法对数据的真实性及完整性进行分辨或核验，因此本文内容可能出现不准确、不完整、误导性的内容或信息，具体以公司公告为准。如有疑问，请联系biz@staff.sina.com.cn。