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观点

持续重点关注存储板块，基于存储涨价持续性+AI强催化+国产化加速，上游原厂DDR4第三季合约价预涨30-40%：1）Q3Q4存储大板块或持续涨价、2）AI服务器、PC、手机等带动存储容量快速升级+HBM、eSSD、RDIMM等高价值量产品渗透率持续提升拉高板块收入提亮、3）HBM、eSSD、RDIMM、DDR等高难度高速发展产品国产化率持续提升，国内存储市场进一步加速成长。DDR4/DDR5来看：订单能见度直达Q3：DDR4存储芯片价格跳涨，部分型号已与DDR5产品“倒挂”，4月初至6月中旬，32GB的DDR4 RDIMM现货价格已涨超30%，64GB的DDR4 RDIMM更是出现220美元的报价。威刚科技DDR4/DDR5订单全线爆满，产能持续饱和，工厂连续5个月加班生产，系统大厂订单能见度已覆盖至9月。涨价红利深度锁定：上游原厂DDR4第三季合约价预涨30-40%(财迅快报)，公司凭借充沛库存与稳定货源，业绩弹性与盈利空间显著扩大。价格方面，二季度存储涨势喜人，Q3-Q4DRAM/NAND涨价动能强化，供给侧改革驱动DDR4领涨。Q3Q4涨价趋势明确：① DRAM及DDR4合约价：PC DDR4预期涨幅扩大，Server DDR4涨幅同样扩大；Q4 DRAM预期持续上涨② NAND Flash：Q3合约价涨幅上修至5-10%，企业级SSD订单显著增加，Q4涨价持续性延续预期上涨8-13%。需求侧AI渗透率提升：算力需求引领存储升级，服务器、PC、手机存储容量快速提升。国产化突破：企业级存储/主控芯片/封测等技术攻坚，产能扩张重塑供应链格局。头部模组厂商高端化突破，主控自研构筑护城河、芯片厂商平台化布局，接口与存储技术双轨并进、封测与方案商协同突破，国产化交付体系成型。

美光业绩超预期，DRAM收入历史新高，消费级市场复苏：FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)美光营收创历史新高，这得益于DRAM业务营收创历史新高，其中 HBM 营收环比增长近 50%；数据中心营收同比增长逾一倍，创季度新高；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。美光表示，2025财年有望实现创纪录的营收。细分来看，DRAM收入70.71亿美元，占总收入的76%，环比增长15.5%。DRAM Bit出货量环比增长超20%。NAND收入21.55亿美元，占总收入的23%，环比增长16.2%。NAND Bit出货量环比增长约25%。事业部来看，Mobile（MBU）营收15.51亿美元，环比增长45%；源于客户库存水平下降以及DRAM单机容量提升带来的强劲需求。Storage（SBU）营收14.51亿美元，环比增长4%；增长主要来自消费级存储产品收入的提升。Embedded（EBU）营收12.27亿美元，环比增长20%；工业和消费类嵌入式市场的需求增长提供了主要支撑。展望四季度，收入预期104～110亿美元，预期毛利率将进一步提升至41～43%。龙头业绩表现超预期，AI带动存储技术升级与需求提升，存储有望迎来新一轮成长周期，重点关注顺周期+新技术迭代驱动成长机会。

综合来看2025年，全球半导体增长延续乐观增长走势，2025年AI驱下游增长。同时，政策对供应链中断与重构风险持续升级，国产替代持续推进。展望二季度，建议关注设计板块存储/代工SoC/ASIC/CIS二季度业绩弹性, 设备材料算力芯片国产替代。存储板块预估3Q25存储器合约价涨幅持续，企业级产品持续推进，带动季度业绩环比增长明确。晶圆代工龙头或开启涨价，2季度业绩展望乐观。端侧AI SoC芯片公司受益于端侧AI硬件渗透率释放，一季度业绩已体现高增长，叠加6-7月AI眼镜密集发布，后续展望乐观。ASIC公司收入增速逐步体现，Deepseek入局助力快速发展。CIS受益智能车需求带动需求迭升。模拟板块工业控制市场复苏信号已现。设备材料板块，头部厂商2025Q1业绩表现亮眼，同时国产替代持续推进+行业在新一轮并购重组及资本运作推动下加速资源整合，助力本土头部企业打造综合技术平台并强化全球竞争力。

建议关注

半导体存储：江波龙(天风计算机联合覆盖)/ 兆易创新/香农芯创/德明利/佰维存储/朗科科技/联芸科技/北京君正/普冉股份/东芯股份/恒烁股份/澜起科技/聚辰股份/深科技/太极实业/万润科技/协创数据

IDM代工封测：华虹半导体/中芯国际/伟测科技/长电科技/通富微电/华天科技/甬矽电子/扬杰科技/闻泰科技（维权）/三安光电/利扬芯片

SoC及配套方案商:恒玄科技/泰凌微/星宸科技/瑞芯微/晶晨股份/全志科技/乐鑫科技/中科蓝讯/润欣科技/炬芯科技/富瀚微

ASIC：翱捷科技/芯原股份

半导体材料设备零部件：北方华创/精智达/冠石科技/格林达/百傲化学/雅克科技/鼎龙股份（天风化工联合覆盖）/天岳先进/和远气体/正帆科技（天风机械联合覆盖）/中微公司/拓荆科技/富创精密/精智达/沪硅产业/上海新阳（维权）/安集科技/盛美上海/中巨芯/清溢光电/有研新材/华特气体/南大光电/凯美特气/金海通（天风机械联合覆盖）/鸿日达/精测电子/国力股份/新莱应材（维权）/长川科技（维权）（天风机械覆盖）/联动科技/茂莱光学/艾森股份/江丰电子

其他设计：圣邦股份/纳芯微/南芯科技/雅创电子（维权）/卓胜微/思瑞浦/杰华特/芯朋微/帝奥微/晶丰明源/艾为电子/唯捷创芯/寒武纪/龙芯中科/海光信息（天风计算机覆盖）/龙迅股份/美芯晟/天德钰/汇顶科技/思特威/扬杰科技/复旦微电/钜泉科技/力合微/中颖电子/斯达半导/宏微科技（维权）/东微半导/民德电子/新洁能/韦尔股份/希荻微/安路科技

光子芯片：迈信林/源杰科技（通信组联合覆盖）/长光华芯/仕佳光子/杰普特/炬光科技

高可靠电子：盛景微/电科芯片/景嘉微/中润光学/长光华芯/上海复旦/复旦微电

风险提示：地缘政治带来的不可预测风险，需求复苏不及预期，技术迭代不及预期，产业政策变化风险

1. 美光业绩超预期，持续重点看好存储板块

美光业绩超预期，DRAM收入历史新高，HBM环比增长50%，消费级市场复苏：FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)美光营收创历史新高，这得益于DRAM业务营收创历史新高，其中 HBM 营收环比增长近 50%；数据中心营收同比增长逾一倍，创季度新高；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。美光表示，2025财年有望实现创纪录的营收。细分来看，DRAM收入70.71亿美元，占总收入的76%，环比增长15.5%。DRAM Bit出货量环比增长超20%。NAND收入21.55亿美元，占总收入的23%，环比增长16.2%。NAND Bit出货量环比增长约25%。事业部来看，Mobile（MBU）营收15.51亿美元，环比增长45%；源于客户库存水平下降以及DRAM单机容量提升带来的强劲需求。Storage（SBU）营收14.51亿美元，环比增长4%；增长主要来自消费级存储产品收入的提升。Embedded（EBU）营收12.27亿美元，环比增长20%；工业和消费类嵌入式市场的需求增长提供了主要支撑。展望四季度，收入预期104～110亿美元，预期毛利率将进一步提升至41～43%。龙头业绩表现超预期，AI带动存储技术升级与需求提升，存储有望迎来新一轮成长周期，重点关注顺周期+新技术迭代驱动成长机会。

美光2025财年第三季度业务总结：

1.财务表现：

· 营收93亿美元（环比+15%，同比+37%），创历史新高；净利润21.81亿美元（环比+22.3%，同比+210.7%）。

· DRAM业务占比76%，营收增长由HBM和数据中心驱动；NAND业务占比23%，Bit出货量环比增长约25%。

· Compute and Networking（CNBU）：营收50.7亿美元（环比+11%，占比54.5%），HBM增长近50%驱动，高容量/低功耗服务器DRAM同步增长。

· Mobile（MBU）：营收15.5亿美元（环比+45%），受益于客户库存下降及智能手机DRAM容量升级需求。

· Storage（SBU）：营收14.5亿美元（环比+4%），消费级SSD需求拉动。

· Embedded（EBU）：营收12.3亿美元（环比+20%），工业与消费类嵌入式市场复苏推动。

2.终端市场亮点：

· 数据中心：HBM3E量产顺利，HBM4样品已交付客户；9550高性能固态硬盘位列Nvidia GB200 NVL72 推荐供应商名单。

· 移动设备：1-gamma技术提升AI性能；智能手机DRAM容量需求增长。

· PC/汽车/工业：美光预计2025日历年PC市场出货量将实现低个位数百分比增长；业界首款支持9.6 Gbps高速传输的1-beta双通道LPDDR5 DRAM，已于本季度达到量产状态，从而在汽车市场占据了长期成功的地位；在工业领域，随着客户加大对 AI 应用的投资，包括工厂自动化等关键领域，美光表示该部分的增长正在恢复。

3.技术进展：

· 1-gamma DRAM技术性能优，密度提升30%，功耗降20%以上。

· QLC NAND占比创新高，G9节点产能爬坡顺利。

未来业绩预期

1.  2025财年Q4指引：

· 营收预计104-110亿美元，毛利率41%-43%。

· HBM 2025年产能售罄，2026年需求增速将远超DRAM整体市场。

2.  长期规划：

· 资本开支140亿美元，聚焦HBM和先进制程；美国晶圆厂投资加速（ID1 2027年投产）。

· 行业需求：DRAM Bit需求增速17-19%，NAND增速11-13%。

持续重点关注存储板块，基于存储涨价持续性+AI强催化+国产化加速，上游原厂DDR4第三季合约价预涨30-40%：1）Q3Q4存储大板块或持续涨价、2）AI服务器、PC、手机等带动存储容量快速升级+HBM、eSSD、RDIMM等高价值量产品渗透率持续提升拉高板块收入提亮、3）HBM、eSSD、RDIMM、DDR等高难度高速发展产品国产化率持续提升，国内存储市场进一步加速成长。DDR4/DDR5来看：订单能见度直达Q3：DDR4存储芯片价格跳涨，部分型号已与DDR5产品“倒挂”， 4月初至6月中旬，32GB的DDR4 RDIMM现货价格已涨超30%，64GB的DDR4 RDIMM更是出现220美元的报价。威刚科技DDR4/DDR5订单增长迅速，产能持续饱和，工厂连续5个月加班生产，系统大厂订单能见度已覆盖至9月。涨价红利深度锁定：上游原厂DDR4第三季合约价预涨30-40%(财迅快报)，公司凭借充沛库存与稳定货源，业绩弹性与盈利空间显著扩大。价格方面，二季度存储涨势喜人，Q3-Q4DRAM/NAND涨价动能强化，供给侧改革驱动DDR4领涨。Q3Q4涨价趋势明确：① DRAM及DDR4合约价：PC DDR4预期涨幅扩大，Server DDR4涨幅同样扩大；Q4 DRAM预期持续上涨② NAND Flash：Q3合约价涨幅上修至5-10%，企业级SSD订单显著增加，Q4涨价持续性延续预期上涨8-13%。需求侧AI渗透率提升：算力需求引领存储升级，服务器、PC、手机存储容量快速提升。国产化突破：企业级存储/主控芯片/封测等技术攻坚，产能扩张重塑供应链格局。模组厂商高端化突破，主控自研构筑护城河、芯片厂商平台化布局，接口与存储技术双轨并进、封测与方案商协同突破，国产化交付体系成型。

近期DDR4存储芯片价格出现显著上涨，部分型号甚至与新一代DDR5产品形成价格“倒挂”现象。这一行情主要源于供给端的主动调整，三星、SK海力士等主要厂商正在缩减DDR4产能，将资源转向DDR5和HBM等高附加值产品，导致市场供应趋紧。

CFM闪存市场数据则显示，本月初16GB、32GB、64GB的DDR4 RDIMM（带寄存器的双线内存模块）分别调涨至58美元、105美元、195美元。从累计涨幅看，4月初至6月中旬，32GB的DDR4 RDIMM现货价格已涨超30%，64GB的DDR4 RDIMM更是出现220美元的报价。

过去，服务器DDR4与DDR5之间价格悬殊，通用服务器需求转向DDR5受成本限制，去年四季度同容量的DDR5 RDIMM比DDR4 RDIMM价格几乎高出近一倍。但CFM闪存市场数据显示，今年一季度服务器DDR5内存条价格累计环比高个位数下滑，从现货市场服务器DDR4内存条和DDR5内存条的价差来看，两者价差大幅缩减。如64GB DDR4/DDR5 RDIMM两者价差已从去年四季度近一倍缩减至目前的36%。

停产消息引发的连锁反应仍在持续发酵中，但当前的DDR4价格正脱离需求端实际可承受的范围，随着DDR4和DDR5的价差持续减少，这也将推动应用终端向DDR5产品切换。

近期DDR4/LPDDR4领涨，原厂停产确定性强带动国内公司涨价及转单，叠加Q3整体存储板块预期涨幅扩大驱动业绩弹性。供给侧来看，美光表示其已向 PC 及数据中心等领域客户发布 DDR4 / LPDDR 4 内存 EOL 停产通知，预计明年一季度后消费性、PC 及数据中心用 DDR4 将缩产或减产，国内相关公司有望受益涨价及转单。4-5月来看，存储现货市场多数渠道内存条、服务器DDR4、LPDDR4X等产品价格延续上升通道，拉长时间看，部分产品价格已回涨至去年年中水平。6月来看，美光（Micron）6月DDR4预期报价大幅跳涨50%，无论是8Gb还是16Gb规格的产品，现货价格均呈现强劲上涨态势。同时近期DRAM成品现货普遍续涨，低容量eMMC货紧价扬加速相关应用容量升级。Q3展望，延续涨价趋势：NAND FLASH ：2Q25合约价涨幅预期3-8%，3Q25预期提升至5-10%；DDR4 ：Trendforce 预期3季度PC DDR4合约价涨幅扩大至18-23%。Server DDR4 涨幅至8-13%。低容量LPDDR/256Gb TLC Wafer：仍有涨价空间（供应紧缺+停产预期延续）。企业级存储：AI基础设施需求+国产替代驱动业绩弹性。受益存储涨价持续性+模组厂企业级存储订单持续落地，建议关注产业龙头季度业绩持续向好机会（江波龙/香农芯创/兆易创新/德明利/佰维存储/联芸科技/北京君正/普冉股份/东芯股份等）。

1.1. 本周存储回顾：LPDDR4X供应趋紧再度上调现货价格，部分高规格DDR4颗粒继续大幅拉涨报价

随着原厂减产效应逐步显现，LPDDR4X 供应整体满足率呈现结构性调整态势，当前现货市场行情更多体现为资源优化配置导向。本周 LPDDR4X 产品价格呈现温和上行趋势，部分行业 DDR4 内存条因上游资源端价格策略调整，同步对报价进行适度优化；渠道端经历持续月余的市场行情动态调整后，近期交易氛围逐步回归理性，渠道 DDR4 价格进入阶段性稳定区间，高位运行特征明显，个别前期涨幅较大的产品因市场博弈节奏变化，出现短期流动性阶段性调节现象。渠道市场 PCB 板供应紧张状况尚未完全缓解，DDR4 内存条交付周期仍处于正常偏长区间，渠道厂商当前库存结构以半成品为主。整体来看，渠道内存条、SSD，行业 SSD 及嵌入式 Flash 成品价格体系保持稳定运行态势。

另外，伴随二季度末临近，部分原厂启动新季度价格协商机制。从供应链市场反馈信息显示，256Gb NAND Flash 产能优化调整导致供应端逐步有序收缩，促使部分客户需求向更高容量规格升级，近期 512Gb NAND Flash 询单需求呈现积极增长态势；同时，现货市场受低容量 NAND 供应结构性调整影响，在替代方案尚需时间衔接的情况下，部分客户正加快高容量嵌入式产品的导入进程。

上游资源方面，近期部分QLC NAND资源价格出现松动，上周四1Tb QLC Flash wafer小幅调降至5.05美元；部分高规格DDR4颗粒继续大幅拉涨报价。其中，DDR4 16Gb 3200/ DDR4 8Gb 3200分别调整为6.40/3.20美元，其他产品价格维持不变。另外，在贸易商大肆炒作哄抬DDR4颗粒价格后，昔日惜售的贸易端近期释出部分DDR4资源，因此，未来还需实时跟踪市场动态。

经过近一个月的上涨行情，渠道8/16/32GB DDR4 UDIMM价格全线涨超去年同期水平，近期渠道市场渐渐回归理性。而渠道DDR4内存条也因前期过快、过高的一连串涨价举措，令部分产品出现“有价无市”的窘境。整体来看，渠道DDR4内存条价格进入高位横盘整固阶段，基本维持上周水平；渠道SSD和DDR5价格也基本持平。

受近期部分资源急涨影响，成本迅速拉升下推升相对应的产品价格水涨船高，本周DDR4 SODIMM 16GB 3200大幅调涨。SSD方面，继行业厂商上周调涨部分SSD价格之后，虽陆续有行业客户接受涨价事实，但同样的也打击了部分PC客户备货意愿；另外，行业SSD海外市场也同步上调价格，具体是否能实际落地还需待时间验证。

去年三季度以来，随着原厂LPDDR4X减产效果日益显著，无论是原厂还是现货供应端整体供应都持续减少，尤其是存储厂商因部分资源库存较为紧张，Tier1客户供应愈发趋紧，而大众市场客户备货需求更难以得到充分满足，资源导向下存储厂商维持涨价态度，本周LPDDR4X普遍呈现个位数涨幅；嵌入式Flash产品价格基本不变。

2. 上周（06/23-06/27）半导体行情回顾

上周（06/23-06/27）半导体行情跑赢主要指数。上周创业板指数上涨5.69%，上证综指上涨1.91%，深证综指上涨3.73%，中小板指上涨2.55%，万得全A上涨3.56%，申万半导体行业指数上涨4.55%。

半导体各细分板块均上涨，其他板块涨幅最大。半导体细分板块中，封测板块上周上涨7.9%，半导体材料板块上周上涨2.3%，分立器件板块上周上涨5.8%，IC设计板块上周上涨4.0%，半导体设备板块上周上涨3.3%，半导体制造板块上周上涨8.6%，其他板块上周上涨9.0%。

3. 上周（06/23-06/27）重点公司公告

【688126.SH】沪硅产业

2025年6月27日，公司发布上海硅产业集团股份有限公司发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（申报稿）的公告。上海硅产业集团股份有限公司拟向海富半导体基金发行股份及支付现金购买其持有的新昇晶投43.9863%股权，拟向晶融投资支付现金购买其持有的新昇晶投2.7491%股权，拟向产业基金二期发行股份购买其持有的新昇晶科43.8596%股权，拟向上海闪芯发行股份及支付现金购买其持有的新昇晶科5.2632%股权，拟向中建材新材料基金发行股份购买其持有的新昇晶睿24.8780%股权，拟向上国投资管发行股份购买其持有的新昇晶睿14.6341%股权，拟向混改基金发行股份购买其持有的新昇晶睿9.2683%股权，并向不超过35名（含35名）特定投资者发行股份募集配套资金。

【688082.SH】盛美上海

2025年6月27日盛美半导体设备（上海）股份有限公司内部审计制度的公告。第一章  总  则： 第一条  为了规范盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“公司”）内部审计工作，提高内部审计工作质量，保护投资者合法权益，依据《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等有关法律法规、规范性文件和《盛美半导体设备（上海）股份有限公司章程》（以下简称“公司章程”）的相关规定，制定本制度。 第二条  本制度所称内部审计，是指由公司内部机构或人员，对公司内部控制和风险管理的有效性、财务信息的真实性和完整性以及经营活动的效率和效果等开展的一种评价活动。 第三条  本制度所称内部控制，是指公司董事会、高级管理人员及其他有关人员为实现下列目标而提供合理保证的过程： （一）遵守国家法律、法规、规章及其他相关规定； （二）提高公司经营的效率和效果； （三）保障公司资产的安全； （四）确保公司信息披露的真实、准确、完整和公平。

4. 上周（06/16-06/20）半导体重点新闻

消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存，16Hi 样品八月交付。IT之家 6 月 27 日消息，韩媒 the bell 当地时间 25 日报道称，三星电子 HBM4 12Hi (36GB) 内存的出样准备工作已进入最后阶段。如果内部评估结果良好，三星计划在 7 月初向英伟达和 AMD 等主要客户供应 12 层堆叠 HBM4 的样品。由于 SK 海力士和美光先后已于 2025 年 3 月和 6 月实现了 HBM4 12Hi 的出样，因此三星电子将成为最晚提供 HBM4 内存样品的主要供应商。据悉三星还计划在 8 月交付更高堆叠的 HBM4 16Hi（堆栈容量预计为 48GB）样品。三星电子在 HBM4 中率先引入了第六代 10 纳米级工艺 (1c nm) 的 DRAM 芯片，试图扭转在 HBM3 (E) 世代遭遇的市场劣势。据悉三星在 1c nm DRAM 上进行了大胆的重新设计以提升性能表现。如果三星的 HBM4 样品通过客户测试，则该企业预计将于今年底量产这一新型内存。不过虽然三星已有能力提供 HBM4 样品，但在 DRAM Die 和 HBM 堆栈的良率方面还有不小提升空间。

ASML 技术高级副总裁：已携手蔡司启动 5nm 分辨率 Hyper NA 光刻机开发。IT之家 6 月 27 日消息，ASML 技术高级副总裁 Jos Benschop 在接受《日经亚洲》采访时表示，该企业已同光学组件独家合作伙伴蔡司一道启动了 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻机开发。作为参考，目前的 TWINSCAN EXE:5000 光刻系统采用 High NA (0.55NA) 光学系统，分辨率为 8nm。更高的分辨率意味着先进制程企业可减少曝光次数、提升光刻图案质量。Jos Benschop 提到，ASML 尚未设定 Hyper NA 光刻机推出的目标日期，不过项目开发目标是将 NA（IT之家注：数值孔径）进一步提升到 0.7 乃至更高；5nm 的分辨率意味着 Hyper NA 系统能满足 2035 年乃至更后阶段的产业需求。对于近来才启动部署的 High NA 图案化设备，这位 ASML 高管称这些机台的广泛使用要晚一些，这是因为行业需要测试、验证并建立相应的生态系统；0.55NA 光刻机预计可满足本十年内乃至到三十年代初的行业需求。

5. 风险提示

地缘政治带来的不可预测风险：随着地缘政治冲突加剧，美国等国家/地区相继收紧针对半导体行业的出口管制政策，国际出口管制态势趋严，经济全球化受到较大挑战，对全球半导体市场和芯片供应链稳定带来不确定风险。未来如美国或其他国家/地区与中国的贸易摩擦升级，限制进出口及投资，提高关税或设置其他贸易壁垒，半导体行业相关公司还可能面临相关受管制设备、原材料、零备件、软件及服务支持等生产资料供应紧张、融资受限的风险等，进而对行业内公司的研发、生产、经营、业务造成不利影响。

需求复苏不及预期：受到全球宏观经济的波动、行业景气度等因素影响，集成电路行业存在一定的周期性，与宏观经济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，集成电路行业的市场需求也将随之受到影响。另外，下游市场需求的波动和低迷亦会导致集成电路产品的需求下降，或由于半导体行业出现投资过热、重复建设的情况进而导致产能供应在景气度较低时超过市场需求。

技术迭代不及预期：集成电路行业属于技术密集型行业，集成电路涉及数十种科学技术及工程领域学科知识的综合应用，具有工艺技术迭代快、资金投入大、研发周期长等特点。多年来，集成电路行业公司坚持自主研发的道路并进一步巩固自主化核心知识产权。如果行业内公司未来技术研发的投入不足，不能支撑技术升级的需要，可能导致公司技术被赶超或替代，进而对公司的持续竞争力产生不利影响。

产业政策变化风险：集成电路产业作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业。国家陆续出台了包括《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发[2011]4 号）在内的一系列政策，从财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等方面为集成电路企业提供了更多的支持。未来如果国家相关产业政策出现重大不利变化，将对行业发展产生一定不利影响。

注：文中报告节选自天风证券研究所已公开发布研究报告，具体报告内容及相关风险提示等详见完整版报告。

证券研究报告《半导体周报：美光业绩超预期，持续重点看好存储板块龙头江波龙》

对外发布时间  2025年6月30日

本报告分析师：  

李泓依   SAC执业证书编号：S1110524040006

骆奕扬   SAC执业证书编号：S1110521050001

程如莹   SAC执业证书编号：S1110521110002

潘暕 天风证券电子行业首席分析师。复旦大学微电子与固体电子学硕士，复旦大学微电子学本科，国际经济与贸易第二专业，曾就职于安信证券任分析师，对电子行业有全面深刻见解，挖掘了众多高成长企业，与产业深入合作帮助企业发展，善于推荐科技创新大周期的投资机会。2019、2020年新财富最佳分析师分别获得第四名、第二名，2021年新财富入围，2015-2016年新财富第一团队成员，2017年新财富第二团队成员。2015-2016年水晶球第一团队成员，2017、2019年水晶球分别获得第二名、第五名。2015-2016年金牛奖第一团队成员，2017、2020、2021年金牛奖分别获得第二名、第四名、第二名。2018年Wind金牌分析师第一名，2020-2021年Wind金牌分析师第二名。2019-2021年金麒麟最佳分析师分别获得第三名、第四名、第六名。2020年上海证券报最佳分析师第三名，2021年21世纪金牌分析师第五名，Choice 2021年度电子行业最佳分析师第三名。温玉章 分析师。计算机及工业工程专业背景，12年以上苹果产品(iPod & iPhone)研发和新产品导入工作经验，对电子，计算机，互联网产业链的发展趋势有较深的认知和理解。骆奕扬 分析师。南京大学物理系本科，香港科技大学集成电路设计硕士。3年电子行业研究经验，覆盖半导体制造、半导体装备材料及部分半导体设计。

李泓依  分析师 美国埃默里大学会计学及金融学学士、会计学硕士，覆盖半导体封装测试及部分材料装备，已撰写包含汽车芯片、第三代半导体、虚拟显示等多篇行业深度报告。

程如莹 分析师。北京大学计算机专业硕士，覆盖半导体IC设计、MCU/SOC/IGBT/模拟芯片行业&公司覆盖报告。许俊峰 分析师。伯明翰大学工商管理学硕士，覆盖安防、LED、汽车连接器及智能座舱等。冯浩凡 助理研究员。新南威尔士大学信息系统学士，金融学硕士，覆盖部分汽车电子领域。包恒星 助理研究员。南京大学材料物理本科、材料物理与化学硕士，覆盖消费电子领域。

高静怡 助理研究员。中央财经大学会计硕士，覆盖半导体领域。

（转自：科技伊甸园）