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文｜王亮 耿正 焦鼎

存储市场空间广阔，随着供给产能调整和应用需求扩张，未来供需关系有望改善，特别是近期部分存储产品供应趋紧，带动部分主流/利基DDR4和eMMC等产品价格上涨，配套产业链有望受益。同时，随着AI产业趋势的演进，以及AI应用需求的持续扩容，以HBM、3D堆叠DRAM等为代表的存储方案有着广阔的应用前景，是未来存储技术的关键发展方向。

摘 要

存储技术持续迭代升级，前代产能退出带动相关产品涨价。伴随着制程升级、结构迭代和先进封装的应用，以及近年来AI技术和应用的兴起，半导体存储朝着大容量和高带宽方向持续演进。近期，在DRAM市场，供应趋紧推动DDR4内存条相关产品价格显著提升，适用于手机等移动终端的LPDDR4X产品也受原厂产能收缩影响供应相对不足，产品价格迅速提升。在NAND市场，NAND Flash Wafer和

SSD价格整体企稳回升。在供应收紧和AI等需求扩张的带动下，集邦咨询预计25Q3 DRAM/NAND价格有望延续涨势。

HBM技术快速迭代，充分受益AI需求提升。目前业界针对HBM4密集进行技术开发，海力士已全球首次向主要客户提供了其基于1b制程的12层HBM4样品；本月，美光也宣布已向多家重要客户交付基于1β制程的12层HBM4样品；三星正在采用1c制程DRAM设计HBM4。目前，HBM市场需求高涨，25年相关产能大多已售罄。

3D堆叠DRAM优势显著，具备广阔的应用前景。与当前的缓存+内存方案相比，3D堆叠DRAM技术在带宽、功耗、尺寸、成本、定制化等方面具备显著的差异化优势，在AI、智能驾驶、边缘计算等领域有着广阔的应用前景。受益云侧/端侧AI应用需求增长，3D堆叠DRAM产业化稳步推进，在集成化方案和堆叠制造工艺等方面持续取得新进展。

利基存储市场稳步增长，本土厂商有望受益海外供应收紧。制造工艺、产品技术、应用市场等的发展共同推动了利基DRAM市场的持续增长。25年以来，海外DRAM制造商逐步计划停产部分DDR3/DDR4产品，未来相关利基DRAM产品的供应有望进一步受限，5月以来，部分

DDR4 8Gb产品的价格已显著提升。同时，由于NAND供应商停止生产MLC NAND和256Gb TLC NAND，相关产品处于供不应求状态，相应低容量嵌入式产品也出现价格上涨。在海外供应收紧的趋势下，本土配套供应商有望提升市场份额和受益于本轮产品价格的提升。

存储市场空间广阔，随着供给产能调整和应用需求扩张，未来供需关系有望改善，特别是近期部分存储产品供应趋紧，带动部分主流/利基DDR4和eMMC等产品价格上涨，配套产业链有望受益。同时，随着AI产业趋势的演进，以及AI应用需求的持续扩容，以HBM、3D堆叠DRAM等为代表的存储方案有着广阔的应用前景，是未来存储技术的关键发展方向。

需求不及预期，技术研发不及预期，客户开拓不及预期。

正 文

一、存储技术持续迭代升级，前代产能退出带动相关产品涨价

（一）半导体存储朝大容量和高带宽方向持续发展

半导体存储是以半导体作为存储媒介的器件，主要包括易失性存储（Volatile Memory）和非易失性存储（Non-Volatile Memory）两大类，其中，易失性存储的代表产品为DRAM，根据传输速率、电压、带宽等技术特征的不同，DRAM可以进一步细分为DDR、LPDDR、GDDR和HBM等。非易失性存储的代表产品包括NAND Flash和NOR Flash，根据闪存颗粒中存储密度的不同，NAND可进一步细分为SLC、TLC、MLC和QLC等。凭借着读写速度、集成度和可扩展性等诸多优势，半导体存储已成为现代计算机系统的核心组件。

目前，伴随着存储制程的升级、结构的迭代以及先进封装技术的应用，半导体存储朝着大容量和高带宽的方向持续演进，特别是近年来AI技术和应用的兴起，对高带宽半导体存储的需求快速提升。

（二）存储市场空间广阔，竞争格局较为集中

在AI、智能手机、汽车电子、云计算等应用需求的推动下，半导体存储的需求空间持续增长；并且，伴随着半导体存储在制造工艺和技术的持续迭代，相关存储产品的应用空间进一步拓宽，带动了DRAM和NAND等半导体存储市场规模的扩大。

存储是半导体的主要细分产品市场，市场空间广阔。2025年Q1，全球DRAM市场规模为270.13亿美元，环比下降5.54%。

从应用市场来看，2024年，数据中心是DRAM最大的应用市场，占比46%，其次是移动终端和PC。

2025年Q1，全球NAND市场规模为131.63亿美元，环比下降23.26%。

从应用市场来看，2024年，移动终端是NAND最大的应用市场，占比41%，其次是数据中心和PC。

目前，半导体存储市场的供应格局较为集中，DRAM和NAND市场均主要由海外厂商主导。2025年Q1，在DRAM市场中海力士、三星、美光的市场份额分别为36%、34%、24%。

2025年Q1，在NAND市场中三星、美光、铠侠、海力士的市场份额分别为32%、15%、15%、9%。

（三）DDR4内存条供应受限价格上涨/NAND价格企稳回升，25Q3 存储价格有望延续涨势

在DRAM市场，在供应趋紧的趋势下，相关厂商针对内存条和LPDDR4X等产品的现货价格持报涨态度，其中，相关DDR4产品价格上涨尤为显著。

根据中国闪存市场和集邦咨询的信息，近期多家DRAM供应商宣布多款DDR4模组、颗粒EOL（停产）通知，主要针对服务器和PC客户，部分供应商服务器DDR4最终采购订单时间约在25年6至7月，订单发货截止日期为25年年底。在供应趋紧的推动下相关内存条产品价格显著提升，根据中国闪存市场的数据，2025年6月3日，服务器DDR4 RDIMM 32GB 3200产品报价105美元，环比上月报价上涨16.17%。与服务器DDR5 RDIMM 32GB产品的价差也显著缩小。

在LPDDR4X方面，供应商也出现减产，适用于手机等移动终端的LPDDR4X产品也受原厂产能收缩影响供应相对不足，近期LPDDR4X产品现货价格迅速提升，LPDDR4X 64Gb的报价已提升至17.5美金，达到2025年以来高点。

就2025年第二季度而言，受益于AI服务器的带动和CSP厂商应对原厂EOL的策略性备货，集邦咨询预计2025年第二季度服务器DDR4模组价格有望环比增长18-23%。PC OEM的提前备货和服务器DDR4的产能排挤效应也有望推升PC DDR4模组价格上涨，集邦咨询预计2025年第二季度PC DDR4模组价格有望环比增长13-18%。展望2025年第三季度，供应商收缩产能和下游预期性的备货需求有望再推升服务器和PC DDR4模组价格上涨。

在NAND市场，NAND Flash Wafer价格整体企稳回升。而在SSD方面，目前市场需求整体维持稳定，供应商给客户正常出货，相应的价格也基本维持稳定。

就2025年第二季度而言，随着终端库存逐渐恢复健康水位，NAND Flash价格触底反弹，叠加部分厂商积极拉货，集邦咨询预计第二季度NAND厂商营收有望环增10%，并预计NAND价格有望环比增长3-8%。展望2025年第三季度，根据TrendForce集邦咨询的数据，以北美大厂为主的CSP厂商持续加强AI投资，有望带动企业级SSD需求于第三季度显著成长。在成品库存水位偏低的背景下，预期企业级SSD市场将转为供应吃紧，从而支撑价格出现上涨。集邦咨询预计2025年第三季度NAND价格有望环比增长5-10%。

二、HBM技术快速迭代，充分受益AI需求提升

（一）HBM技术快速迭代，带宽等技术指标快速升级

HBM是将多个DRAM芯片进行3D堆叠、并使用硅通孔（TSV）进行垂直互联的存储技术，在高性能计算场景中实现高效的数据吞吐和集成化的存储方案，具备高带宽、低功耗、易集成扩展等技术优势，在AI数据中心等场景具备显著的应用潜力。

经历快速的技术迭代，目前HBM在AI数据中心市场的主流应用节点为HBM3E。并且，目前业界针对HBM4密集进行技术开发，根据中国闪存市场的信息，海力士目前已全球首次向主要客户提供了其基于1b制程的12层HBM4样品；本月，美光也宣布已向多家重要客户交付基于1β制程的12层HBM4样品；三星正在采用1c制程DRAM设计HBM4。

（二）充分受益AI算力需求提升，市场空间持续扩容

目前，HBM主要通过中介层与算力芯片等进行2.5D封装，凭借高带宽、低功耗以及紧凑的尺寸等特征，HBM很好地满足了AI算力芯片对高吞吐量等的应用需求。

英伟达、AMD等供应商GPU所配套的HBM已经历了从HBM2至HBM3E的升级，配套HBM的数量、单个HBM的存储容量以及HBM的堆叠高度等技术参数也在同步提升。在AI相关技术和应用的带动下，HBM市场规模高速增长。

（三）HBM供需关系紧张，行业产能快速扩张

根据Trendforce的数据，2024年底，海力士、三星、美光的HBM产能约120千片/月、120千片/月、25千片/月，2025年行业持续扩产。

三、3D堆叠DRAM优势显著，具备广阔的应用前景

（一）3D堆叠DARM技术具备带宽、功耗、尺寸和定制化等优势

高带宽、低功耗、微型化和低成本优势显著，3D堆叠DRAM应用前景广阔。本文提及的3D堆叠DRAM技术意指目前通过3D堆叠技术，将DRAM芯片与处理器芯片（SoC、GPU等）进行堆叠、以及将DRAM芯片进行多层堆叠，从而实现近存计算架构的技术形态。相较处理器芯片与存储芯片进行PCB板级互联的方案和通过2.5D封装借由中介层互联的方案，3D堆叠DRAM技术在带宽、功耗、尺寸、成本、定制化等方面具备显著的差异化优势。

与当前的缓存+内存方案相比，该3D堆叠DRAM技术可以有效提高I/O密度，进而实现高带宽数据传输；与传统的PCB互联和目前的2.5D封装相比，3D堆叠后信号的传输能耗更低，有助于实现低功耗数据处理；同时，3D堆叠DRAM技术本身有助于减少整个封装结构的平面尺寸，与Chiplet技术的整合也有助于实现芯片整体的微型化和低成本。并且，在存储定制化趋势演进过程中，3D堆叠DRAM的存储容量、带宽、时钟速度、I/O数量等技术指标可与配套处理器厂商进行定制化开发。凭借上述优势，3D堆叠DRAM技术在AI、智能驾驶、边缘计算等领域有着显著的应用潜力。

（二）3D堆叠DARM技术在云侧、端侧具备广阔的应用空间

受益云侧和端侧AI应用需求增长，3D堆叠DRAM产业化稳步推进。凭借高带宽、低功耗、微型化、低成本和定制化等优势，未来，3D堆叠DRAM技术在AI HPC、边缘计算等云侧、端侧领域有着广阔的应用前景。

目前，3D DRAM研究、产业化和市场推广持续推进。复旦大学的研究论文《A 3D-stack DRAM-based PNM architecture design》显示，基于3D堆叠DRAM技术的近存计算架构及其相关技术在提高LLM推理的效率和性能方面具备显著的优势。

英伟达与AMD也提出了集成化的计算和存储技术展望；紫光国芯的SeDRAM™技术将DRAM晶圆和其他不同工艺节点的逻辑晶圆利用Cu-Cu（铜-铜）互连的方式直接键合，实现对存储器的直接访问，通过定制的DRAM支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同逻辑工艺提供标准化接口和测试用IP，使SoC集成更加简单快捷。

（三）3D堆叠DARM技术的制造工艺具备较高的技术壁垒

3D堆叠DRAM制造工艺链条覆盖DRAM、逻辑、堆叠、封测等加工环节，与堆叠相关的键合工艺较为关键。3D堆叠DRAM的制造工艺涉及DRAM晶圆的制造、逻辑晶圆的制造、晶圆键合加工以及封装测试，封装测试按顺序又可分为：CP测试、Bumping工艺、划片封装、SLT测试。

其中，与堆叠相关的晶圆键合加工工艺有助于减小芯片面积，实现更短的连接距离，同时可提升连接速度和通道数目，从而为芯片带来高带宽、低延时和低功耗等优势。

四、利基存储市场稳步增长，本土厂商有望受益海外供应收紧

（一）利基DRAM市场稳步增长，海外供应收紧带动相关产品价格显著提升

利基DRAM是指DRAM市场面向特定领域应用的一系列产品，现行定义主要包含8Gb容量及以下的DDR4和前代DRAM产品，其功能与主流DRAM并无二致，但相较主流DRAM，利基DRAM多采用成熟工艺制造，具备高性价比、定制化、应用分散、产品生命周期长和可靠性高等特征，在消费电子、网络通信、工业控制、汽车电子、医疗设备和物联网设备等领域广泛应用。从技术趋势来看，当前的利基DRAM通过升级成熟工艺制程以实现更优的产品性能，并且通过参数定制化和封装技术的应用实现产品形态的创新，实现和主流DRAM错位的应用和发展。

利基DRAM产品主要以成熟制程制造，目前工艺节点主要为30-20nm制程，成熟制程的持续优化和产线折旧使利基DRAM的性价比优势显著；利基DRAM的产品技术也在持续向前演进，目前DDR3仍是利基市场主力，但DDR4正迅速加入利基行列，使得利基DRAM得以向更广泛和细分的应用市场渗透；利基DRAM的产品特点也对应了相对多元、刚性和稳定增长的市场需求，机顶盒、路由器、基站、智能座舱等细分应用市场通常更注重利基DRAM的成本效益、可靠性、定制化等特点，这些海量的下游应用共同构成了利基DRAM广泛、可观的市场需求。同时，在中国市场，本土利基DRAM供应商的快速崛起也满足了国内相关产品国产化及自主可控的需求。上述制造工艺、产品技术、应用市场及自主可控等方面的发展共同推动了利基DRAM市场的持续增长。

利基DRAM的市场空间广阔，根据弗若斯特沙利文的数据，2024年，全球利基DRAM市场规模596亿元，同比增长%；预计到2029年，行业市场规模有望扩增至715亿元，2024-2029年CAGR为3.7%。

在中国市场，根据弗若斯特沙利文的数据，2024年，中国利基DRAM市场规模379亿元，同比增长%，占全球市场64%；预计到2029年，行业市场规模有望扩增至509亿元，2024-2029年CAGR为6.1%,快于全球增速水平。

在DRAM产业中，随着制程和产品技术的迭代升级，利基DRAM市场的供应逐渐呈现多元化的特征。中国台湾厂商凭借长期技术积累和产能配套，在全球利基DRAM市场中占据重要位置。同时，中国大陆厂商在利基DRAM市场快速崛起，本土厂商在利基DRAM产品和应用领域快速拓展，随着产品技术的提升、产能配套的完善和自主可控趋势的演进，本土厂商未来有望持续提升市场份额。

根据EE Times China的信息，2025年以来，海外DRAM制造商逐步计划停止生产部分DDR3、DDR4产品，未来相关利基DRAM产品的供应有望进一步受限，5月以来，部分DDR4 8Gb产品的价格已显著提升。在海外供应收紧的趋势下，本土利基DRAM供应商有望充分受益。

根据中国闪存市场的数据，6月10日当周，DDR4 8Gb 3200产品报价2.7美金，环比上周提升17.39%，DDR4 8Gb eTT产品报价1.41美金，环比上周提升28.18%，DDR4 4Gb eTT产品报价0.7美金，环比基本持平，但较5月报价仍有提升。

（二）低容量嵌入式NAND面临减产，部分eMMC涨价明显

eMMC（embedded Multi Media Card）是一种将 NAND 闪存与控制器合封的嵌入式存储方案，容量覆盖1GB-512GB，其功能是以集成化的封装方案来简化相关系统设计，具备低成本、低功耗、微型化和设计简化的优势，在智能手机、平板电脑、物联网设备和车载信息娱乐系统等领域广泛应用。

在消费电子、工业物联网、汽车电子等应用市场中，特别是在成本敏感、空间受限或极端工况的应用需求带动下，eMMC市场整体保持稳中有升的趋势。

根据DIResearch的数据，2024年全球eMMC市场规模为367.7亿元，预计到2030年，市场空间将达到400.9亿元。

近期，由于NAND供应商停止生产MLC NAND和256Gb TLC NAND，相关产品处于供不应求状态，相应低容量嵌入式产品也出现价格上涨。根据中国闪存市场的数据，2025年6月10日，eMMC 16GB 5.1产品报价3.8美元，较2025年初已上涨58.33%，目前，eMMC 16GB/32GB/64GB 5.1产品已基本同价。相应地，本土eMMC供应商有望提升配套市场份额和受益于本轮eMMC产品价格的提升。

半导体存储市场空间广阔，随着供给端产能的调整和需求端应用的扩张，未来供需关系有望改善，特别是近期部分存储产品供应趋紧，带动部分主流/利基DDR4和eMMC等产品价格上涨，配套产业链有望受益。同时，随着AI产业趋势的演进，以及AI应用需求的持续扩容，以HBM、3D堆叠DRAM等为代表的存储方案有着广阔的应用前景，是未来存储技术的关键发展方向。

（一）市场需求不及预期

若电子产品应用市场需求不及预期，相关公司产品销售可能受到影响，从而影响公司的经营表现。

（二）技术研发不及预期

电子行业相关产品研发的专业化程度较高，存在一定技术壁垒，技术开发难度和研发投入大，若新一代产品研发进度不及预期，相关公司的经营表现可能受到影响。

（三）客户开拓不及预期

若相关公司与主要客户的合作关系发生变动或产品的产业化进度不及预期，可能对公司的经营表现产生不利影响。