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(转自:研报虎)
报告要点:
1)二季度DRAM整体价格上涨超预期。价格的上涨主要来自供应链供需结构的持续优化。下游AI需求带动产业主要原厂技术升级加速和在利基型存储芯片上的退出。从趋势上看,三季度价格仍有望保持一定的上涨空间。
2)从供应端角度,我们认为25年是DRAM行业供应结构变化的重要节点。这体现在原厂加速退出DDR4产品供应,下游AI需求刺激带动DDR5/LPDDR5/HBM产品比重加速提升。由英伟达联合三大原厂推动的基于LPDDR5x的SOCAMM标准将加速行业的技术路线的革新。
3)AI的端侧应用有望加速DRAM行业增长。Dram存储芯片成长逻辑逐步从价格驱动转向需求驱动。
4)根据25-27年整体供需模型,Dram存储芯片的供需结构将持续改善。
5)DRAM向3D化发展带动Hybrid bonding的技术发展。
建议关注
存储芯片:兆易创新
内存接口芯片:澜起科技
存储模组:江波龙、佰维存储
测试设备:精智达
风险提示
上行风险:DRAM颗粒价格加速上行;下游需求出现明显回暖;国产替代进程提速
下行风险:宏观经济下行;DRAM价格回暖不及预期;国产厂商产能释放不及预期;其他系统性风险