转自：经济日报

日前，第31届半导体年度奖（Semiconductor of the Year 2025）颁奖典礼在日本东京举行。会上，山东天岳先进科技股份有限公司凭借全球首发的12英寸（300mm）碳化硅衬底技术，斩获由日本半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”金奖。

据悉，这是中国企业首次问鼎该国际半导体权威奖项，也是碳化硅衬底技术首次获得该奖项高度关注，见证了中国半导体材料技术的历史性突破。

国内企业首获国际权威认证

半导体年度奖由日本高公信力的半导体产业媒体《电子器件产业新闻》（创刊于1991年）主办，其严苛的评选标准涵盖技术创新性、社会影响力及未来发展潜力三大维度。该奖项从全球半导体产业设备、器件及电子材料三大领域严格遴选，历届获奖名单堪称全球半导体产业“黄金榜单”——英伟达、东芝、索尼、美光等国际巨头均曾获奖。2025年，天岳先进作为中国半导体代表跻身顶尖行列。

在电子材料领域，历年金奖得主均为掌握核心专利、主导国际标准的行业领军者。值得注意的是，近十年的电子材料金奖技术多集中于碳化硅外延、GaN外延等领域，而碳化硅衬底材料技术获奖尚属首次。这不仅反映了半导体材料领域的技术突破，也体现了业内对碳化硅材料在半导体产业应用的高度关注。天岳先进凭借其突破性12英寸碳化硅衬底技术获此殊荣，标志着该技术成果已获得国际权威体系的认可，被确立为全球半导体材料领域的创新标杆。

12英寸衬底技术改写市场格局

作为国内首个获此国际权威奖项的企业，天岳先进的核心竞争力正体现在12英寸碳化硅衬底的技术下游应用优势。碳化硅作为第三代半导体的核心基础材料，其衬底尺寸决定了产业下游应用的成本及技术替代趋势，是支撑新能源汽车、特高压输电、5G基站等战略领域发展的关键。然而，大尺寸碳化硅衬底，尤其是8英寸及以上的制备技术，曾长期被国际巨头企业垄断，使中国相关产业面临严峻挑战。

面对这一挑战，天岳先进通过持续的技术攻坚与产业化推进，从8英寸量产到全球首发12英寸技术，完成关键技术代际跨越，实现碳化硅产业从追赶到引领。根据日本富士经济最新数据，2024年天岳先进在全球碳化硅衬底市场的份额已达22.8%，稳居全球第一梯队。技术实力也同步体现在知识产权领域，2025年第一季度，国际权威机构KnowMade数据显示，全球新增840个碳化硅专利族，同比增长35%。在这场硬核技术较量中，天岳先进在衬底相关专利数量上稳居国内首位，其技术实力与市场地位获得双重验证。

彰显中国半导体产业创新实力

当前，全球碳化硅行业正经历深刻的技术迭代与格局调整，天岳先进凭借在12英寸碳化硅技术领域的先发优势，展现出强劲的发展势头与核心竞争力。此次荣获半导体年度奖金奖，不仅是天岳先进发展历程中的重要里程碑，更是中国半导体材料产业自主创新道路上的一个缩影，天岳先进的发展历程有力证明了中国企业在突破半导体关键核心技术领域所具备的创新能力。

随着第三代半导体在“双碳”战略与数字经济浪潮中迎来爆发式增长，天岳先进以金奖技术为支点，正加速构建覆盖研发、量产到应用的全球竞争力。这场由中国企业主导的材料革命，不仅重塑着国际半导体权力版图，更将为中国乃至世界打造更高效、更绿色的科技未来注入澎湃动能。