英特尔介绍多项封装技术突破，包括用于HBM4和UCIe的EMIB-T先进封装
近日英特尔电子元件技术大会 (ECTC) 上介绍了多项封装技术突破，概述了多种新型芯片封装技术的优势。
其中有三种值得关注的新型封装技术，包括：EMIB-T，用于提升芯片封装尺寸和供电能力，以支持HBM4/4E等新技术；一种全新的分散式散热器设计；以及一种全新的热键合技术，可提高可靠性和良率，并支持更精细的芯片间连接。
英特尔代工厂旨在利用尖端工艺节点技术，为内部和外部公司生产芯片。随着处理器越来越多地采用复杂的异构设计，将多种类型的计算和内存组件集成到单个芯片封装中，从而提升性能、成本和能效，这依赖于日益复杂的先进封装技术。
EMIB-T可提升关键的封装供电效率指标，并加快了芯片间通信速度。标准EMIB连接由于采用悬臂式供电路径而存在高电压降问题，而EMIB-T利用硅通孔（TSV） 从芯片封装底部通过TSV桥接芯片进行供电，从而实现了直接、低电阻的供电路径，这对于HBM4/4E集成至关重要。与此同时，TSV还提升了芯片间的通信带宽，使用UCIe-A 互连技术，将数据传输速率提升至32 Gb/s或更高。
EMIB-T还能实现更大的芯片封装尺寸，达到120 x 180 mm，并在单个大型芯片封装中支持超过38个桥接器和超过12个矩形大小的裸片。EMIB-T可支持35微米的凸块间距，25微米间距也在开发之中，远胜于初代EMIB的55微米和第二代EMIB的45微米。此外，EMIB-T还兼容有机或玻璃基板，其中玻璃基板是英特尔未来芯片封装业务的关键战略方向。
英特尔还披露了一种全新的分解式散热器技术，可将散热器分解成平板和加强筋，以改善散热器与位于散热器和底层芯片之间的热界面材料（TIM）之间的耦合，另外还有助于将TIM耦合焊料中的空隙减少25%。
英特尔展示了一款集成微通道的散热器，液体可直接通过IHS冷却处理器，可支持TDP高达1000W的处理器封装。
英特尔在服务器和消费产品中都采用了热压粘合技术，现在还开发出一种专门针对大型封装基板的新型热压粘合工艺，有助于克服粘合过程中的芯片和基板翘曲，可最大限度地减少了键合过程中封装基板和芯片之间的热差，从而提高了良率和可靠性指标，并实现了比目前大批量生产中更大的芯片封装。
该技术还能实现更精细的EMIB连接间距，有助于从EMIB-T中榨取更高的密度。