京东方晶芯申请一种发光二极管芯片及其制备方法专利，降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况_热点

京东方晶芯申请一种发光二极管芯片及其制备方法专利，降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况

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2025-03-22 20:37:08

金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，京东方晶芯科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号 CN 119653936 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法，属于显示技术领域，制备方法包括：提供包含外延层的复合衬底，复合衬底包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，外延层设置在第一衬底背离第二衬底的侧第二衬底的厚度大于第一衬底的厚度；对外延层进行图形化工艺，形成多个发光单元；在发光单元背离复合衬底的一侧形成电极；将复合衬底中的第二衬底与第一衬底剥离，形成包括第一衬底及多个发光单元的中间结构体；通过划片裂片工艺分离中间结构体，形成多个发光二极管芯片。通过本申请提供的一种发光二极管芯片及其制备方法，可以降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况，并减薄发光二极管芯片的厚度，降低制备成本。

天眼查资料显示，京东方晶芯科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本250500万人民币，实缴资本147600万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方晶芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目178次，专利信息343条，此外企业还拥有行政许可2个。

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