近日有传言称,英伟达再次来到三星的封装工厂,种种迹象表明,英伟达对三星HBM3E的最终质量测试程序已正式开始。与此同时,三星也瞄准了下一代移动DRAM市场,以满足对设备上人工智能(AI)日益增长的需求。
据TrendForce报道,三星正在与苹果开发低功耗低功耗宽I/O(LPW)DRAM,预计2028年开始量产。除了苹果外,三星在LPW DRAM项目上还有多个合作伙伴,也包括自己的移动体验(MX)部门。传闻LPW DRAM的I/O速度达到204.8 GB/s,而功耗仅为1.87皮焦耳(pJ),相比LPDDR5X的效率要高得多。
由于移动设备逐渐在人工智能方向上进行扩展,预计很快就会出现瓶颈,为此需要更高性能的移动DRAM。LPW DRAM是与HBM类似的高带宽存储器,可以说是移动HBM。LPW DRAM通过低功耗(LP)DDR显著提高性能,不过与HBM不同的是,LPW DRAM不包含用于逻辑功能的基本芯片。此外,三星还领导了JEDEC固态存储协会,尝试对LPW DRAM进行标准化制定。
SK海力士也有类似的计划,正在开发针对性的“Vertical Fan-Out(VFO)”技术,打造堆叠的LPDDR DRAM。虽然SK海力士和三星在堆叠方面采用的工艺方法较为相似,但是封装上却有差异,SK海力士是将铜柱连接起来,然后用环氧树脂填充,而三星电子则相反。