9月9日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“化学液流量校准取样装置及化学镀设备”的专利,授权公告号CN224731590U,授权公告日为2026年9月8日。申请号为CN202522115761.8,申请公布日期为2026年9月8日,申请日期为2025年9月30日,发明人傅凌超,专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师周耀君,分类号G01N1/14、C23C18/31。
专利摘要显示,本实用新型涉及半导体制造技术领域,提供了一种化学液流量校准取样装置及化学镀设备。化学液流量校准取样装置包括:注液管、取样管和通路切换装置;所述注液管用于输送化学液,所述注液管的出口端用于与化学槽的内腔连通;所述取样管的进口端与所述注液管连通,所述取样管的出口端位于化学槽外;所述通路切换装置用于切换注液管内化学液的流向,以使得化学液沿所述注液管的出口端流出或沿所述取样管的出口端流出。上述装置可简化药液取样过程,提高流量偏差的计算效率,同时也降低作业风险以及药液被污染的风险。
芯联集成成立于2018年3月9日,2023年5月10日登陆上海证券交易所,注册及办公地址均位于浙江省绍兴,是国内领先的MEMS特色晶圆代工服务商,具备差异化全流程代工技术壁垒。
芯联集成主营业务覆盖MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,可为客户提供一站式系统代工解决方案,申万行业分类隶属于电子-半导体-集成电路制造,同时布局第三代半导体、模拟芯片、光伏玻璃相关概念赛道。
2026年上半年,芯联集成实现营业收入45.62亿元,在所属7家同行业企业中排名第5,同期行业头部企业中芯国际、华虹宏力营收分别达386.35亿元、95.74亿元,行业平均营收为93.45亿元,行业中位数为59.57亿元;当期公司实现净利润4136.02万元,同样位列行业第5,行业内中芯国际、赛微电子净利润分别为64.39亿元、26.75亿元,行业平均净利润14.11亿元,行业中位数为2.22亿元。
| 指标类型 | 当期数值 | 行业排名/总家数 | 行业头部企业数值 | 行业平均数 | 行业中位数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 45.62亿元 | 5/7 | 中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元 | 93.45亿元 | 59.57亿元 |
| 净利润 | 4136.02万元 | 5/7 | 中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元 | 14.11亿元 | 2.22亿元 |
芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610927683.8 | 2026-06-25 | CN122704843A | 2026-09-08 | 任杨波 |
| 2 | 芯片缺陷定位方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610869507.3 | 2026-06-16 | CN122631647A | 2026-08-25 | 崔壮 |
| 3 | 垂直腔面发射激光器的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610861716.3 | 2026-06-15 | CN122716685A | 2026-09-08 | 靳闪闪、何琼 |
| 4 | 缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610846155.X | 2026-06-12 | CN122612651A | 2026-08-21 | 李晓童、罗昌平、李剑 |
| 5 | MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610844554.2 | 2026-06-11 | CN122561818A | 2026-08-14 | 傅思宇 |
| 6 | 键合结构对准标记形成方法及键合结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610844002.1 | 2026-06-11 | CN122685007A | 2026-09-04 | 王红海、吕林静 |
| 7 | 一种MEMS器件及电子装置 | 发明专利 | 公布 | CN202610843036.9 | 2026-06-11 | CN122718612A | 2026-09-08 | 唐丽文 |
| 8 | 光刻掩膜和图形化方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610649381.9 | 2026-05-12 | CN122488424A | 2026-07-31 | 李悦、眭小超 |
| 9 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610613072.6 | 2026-05-07 | CN122161437A | 2026-06-05 | 于贝贝、张俊龙、王琛 |
| 10 | 半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件 | 发明专利 | 授权 | CN202610603325.1 | 2026-05-06 | CN122138453B | 2026-07-21 | 黄艳、赵晓燕 |
| 11 | 红外传感器及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610588080.X | 2026-04-29 | CN122505417A | 2026-08-04 | 周健 |
| 12 | 晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610504645.1 | 2026-04-16 | CN122341221A | 2026-07-03 | 李悦、眭小超 |
| 13 | 半导体器件背面金属化的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610488963.3 | 2026-04-14 | CN122396221A | 2026-07-14 | 黄旭波、眭小超 |
| 14 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610488964.8 | 2026-04-14 | CN122396034A | 2026-07-14 | 金善武、李婧、程显、张文博、姚泽辉 |
| 15 | 振膜及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610430343.4 | 2026-04-02 | CN122349078A | 2026-07-07 | 李佳利、徐泽洋、王鹏、鲁列微 |
| 16 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610420503.7 | 2026-04-01 | CN122340816A | 2026-07-03 | 王强、孙金山、顾学强、宋苗苗 |
| 17 | 半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610404592.6 | 2026-03-30 | CN122318834A | 2026-06-30 | 徐鹏、张偲、王天然、张俊龙 |
| 18 | 半导体器件的制备方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610400260.0 | 2026-03-30 | CN122340887A | 2026-07-03 | 田淑芳、赵晓燕、黄艳 |
| 19 | 深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610370329.X | 2026-03-25 | CN122180083A | 2026-06-09 | 林笛、赵晓燕、张子文 |
| 20 | 电容麦克风、半导体结构及其测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610365274.3 | 2026-03-24 | CN122054060A | 2026-05-15 | 傅思宇、姚阳文 |
| 21 | 封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610350219.7 | 2026-03-20 | CN122318819A | 2026-06-30 | 张坦、李婧、吴桥伟 |
| 22 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610340887.1 | 2026-03-19 | CN122227653A | 2026-06-16 | 赵冰、赵晓燕、黄艳 |
| 23 | LDMOS器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610340345.4 | 2026-03-19 | CN122227629A | 2026-06-16 | 李宏伟 |
| 24 | 套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610325340.4 | 2026-03-17 | CN121978872A | 2026-05-05 | 李忠仁、赵晓燕、何福秀 |
| 25 | 霍尔器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610321598.7 | 2026-03-17 | CN121888864B | 2026-07-10 | 黄艳、赵晓燕 |
| 26 | 半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610319423.2 | 2026-03-16 | CN122318295A | 2026-06-30 | 黄艳、赵晓燕 |
| 27 | MEMS结构及其制备方法和测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610263262.X | 2026-03-05 | CN122102048A | 2026-05-29 | 王红海 |
| 28 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610264470.1 | 2026-03-05 | CN122301116A | 2026-06-30 | 王曦 |
| 29 | 一种霍尔元件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610252635.3 | 2026-03-03 | CN122121538A | 2026-05-29 | 李宏伟 |
| 30 | DUP器件的焊盘结构及其打线方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610252633.4 | 2026-03-03 | CN122121712A | 2026-05-29 | 李宏伟 |
| 31 | MEMS微镜及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610242335.7 | 2026-02-28 | CN122218940A | 2026-06-16 | 毕丽丽、罗传鹏 |
| 32 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610235585.8 | 2026-02-27 | CN122121255A | 2026-05-29 | 黄艳、赵晓燕、石磊 |
| 33 | 垂直腔面发射激光器的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610206631.1 | 2026-02-12 | CN122068361A | 2026-05-19 | 靳闪闪、何琼 |
| 34 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610201260.8 | 2026-02-11 | CN122054671A | 2026-05-15 | 黄艳、赵晓燕 |
| 35 | 滤波器及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610191106.7 | 2026-02-10 | CN122119555A | 2026-05-29 | 穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋 |
| 36 | MEMS器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610173899.X | 2026-02-06 | CN121974292A | 2026-05-05 | 胡永宝、姚阳文、徐泽洋 |
| 37 | MEMS器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610161355.1 | 2026-02-04 | CN122054059A | 2026-05-15 | 王鹏 |
| 38 | 高压电容隔离器及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610156455.5 | 2026-02-04 | CN121645907B | 2026-05-26 | 徐涛、王旭、刘晓雪 |
| 39 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610144599.9 | 2026-02-02 | CN122054611A | 2026-05-15 | 张子文、赵晓燕、林笛 |
| 40 | 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610075516.5 | 2026-01-20 | CN121888936A | 2026-04-17 | 张涛、王旭 |
| 41 | 用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610075821.4 | 2026-01-20 | CN122028704A | 2026-05-12 | 李忠仁、赵晓燕、何启庆 |
| 42 | 负性光刻胶去边方法 | 发明专利 | 公布 | CN202512047655.5 | 2025-12-31 | CN121657384A | 2026-03-13 | 张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩 |
| 43 | 封装件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512031182.X | 2025-12-30 | CN121772812A | 2026-03-31 | 徐达武、龚俊能 |
| 44 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994715.8 | 2025-12-26 | CN121728807A | 2026-03-24 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 45 | 电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511994584.3 | 2025-12-26 | CN121772735A | 2026-03-31 | 黄艳、赵晓燕、钟鹏 |
| 46 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511980858.3 | 2025-12-25 | CN121712052A | 2026-03-20 | 叶强飞、黎哲、何云、罗顶 |
| 47 | 输出芯片及光控继电器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511953919.7 | 2025-12-23 | CN121814072A | 2026-04-07 | 李宝杰、任文珍、丛茂杰 |
| 48 | 一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511882683.2 | 2025-12-15 | CN121310023B | 2026-04-14 | 傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文 |
| 49 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511868002.7 | 2025-12-11 | CN121645906A | 2026-03-10 | 秦永山、王旭 |
| 50 | 晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202511867408.3 | 2025-12-11 | CN121682332A | 2026-03-17 | 王颖、康栋、李鹏、孙海丽 |
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