截至2026年9月7日 10:14，半导体设备ETF易方达(159558)跟踪该指数中证半导体材料设备主题指数(931743)强势上涨3.52%。

消息面上，9月5日，国内半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊发表学术论文，公开了面向下一代3D DRAM存储芯片制造的两步循环刻蚀工艺。该技术专攻存储芯片走向3D堆叠时的高深宽比选择性刻蚀难题，在64对硅与硅锗交替层堆叠结构中实现超过95%的结构均匀度，硅锗与硅刻蚀选择比超过500比1，200纳米夹层结构中硅层单次损耗控制在10埃以内，可在缺少EUV极紫外光刻机的条件下完成关键制造步骤。据披露，相关刻蚀设备已完成客户验证、进入量产导入阶段。业界分析认为，若长鑫存储等本土厂商整合国产刻蚀设备与工艺，将显著提升3D DRAM自主量产可行性，绕过西方EUV光刻封锁、在下一代存储技术上拿到换道抢跑机会。

AI基础设施持续高景气，国盛证券指出博通AI半导体业务收入同比激增221%，定制XPU芯片出货量增长超3.5倍，并将2026财年AI半导体收入指引上调至580亿美元。为应对基板、先进封装及HBM供应瓶颈，产业链正加速扩产，台积电、日月光等大厂同步扩充产能。AI服务器需求亦强劲，戴尔相关订单积压达950亿美元，全年营收预期上调至740亿美元，反映底层硬件支撑仍处扩张周期。

相关产品：

半导体设备ETF易方达（159558，联接基金A/C：021893/021894）跟踪中证半导体材料设备主题指数（931743），该指数选取沪深市场半导体材料和设备领域上市公司为样本，综合费率0.60%

芯片ETF易方达（516350，联接基金A/C：018411/018412）跟踪中证芯片产业指数，综合费率0.20%

科创芯片ETF易方达（589130，联接基金A/C：020670/020671）跟踪上证科创板芯片指数，综合费率0.60%

科创芯片设计ETF易方达（589030，联接基金A/C：027606/027607）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，综合费率0.60%