8月31日至9月2日,2026年集成电路(无锡)创新发展大会在无锡国际会议中心拉开帷幕。本次大会以“芯生万象,链动无界”为主题,打造高能级产业合作平台。
实际上,近年来,全球半导体供应链体系深度调整,产业竞争从单纯的技术竞赛,升级为供应链安全与生态主导权之争。中国作为全球最大的集成电路消费市场,正以前所未有的力度提升制造、装备、材料等环节的自主能力。
AI算力需求持续增长,先进封装、硅光等新技术也为半导体量检测设备带来新的市场空间。魅杰如何将前道量检测能力迁移至新工艺平台?关键零部件的国产化进展如何?向更先进制程迈进又面临哪些门槛?近日,魅杰半导体设备(无锡)有限公司董事长温任华在前述创新发展大会期间接受21世纪经济报道专访,分享了他的观察。
温任华。资料图《21世纪》:今年,魅杰向硅光芯片企业交付了套刻精度量测设备。公司是把先进封装、硅光视为独立产品线,还是将既有量测能力向不同工艺平台迁移?未来两三年,哪类应用可能率先跑出来?
温任华:先进封装和光通信都是当前非常热门的方向。魅杰主要是把前道量检测领域已经形成的产品和技术能力迁移至硅光及先进封装,用前道技术解决这些新场景中的量测和检测问题。
从未来两三年看,我更看好先进封装率先加速。此前有行业人士提出,先进封装技术的发展速度可能快于硅基制程的演进。从魅杰自身产品来看,套刻精度量测设备有望较快放量。我们此前已经实现14纳米设备交付,今年上半年,公司业绩已经达到去年全年水平。目前,检测业务收入约为量测业务的两倍。
面向先进封装,我们也在布局多功能三维形貌量测等产品。当前算力提升过程中,延迟正成为重要瓶颈,既与带宽和I/O接口能力有关,也与数据链路长度有关。RDL、混合键合和TSV等技术是先进封装的关键,其中TSV技术难度较高。我们的三维形貌量测产品也会面向TSV硅通孔的高深宽比量测需求。
《21世纪》:量检测设备涉及光源、物镜等多个关键环节。魅杰提出“核心子系统自主研发+国产部件替代”,目前关键部件的国产化程度如何?哪些环节仍存在瓶颈?
温任华:对于成熟制程和主流制程,公司零部件国产化率大约可以达到90%;先进制程相对低一些,大约为75%。在成熟和主流制程设备中,包括光源、光机、光学材料和运动控制在内的多数环节,基本都可以采用国产部件。
先进制程仍面临一些短板。首先是高端光源,例如短波长紫外光源及部分激光光源,国内可选产品仍相对较少;其次是高端探测器;再次是高端物镜及其加工材料。当前,国产产品与国际先进水平的差距主要体现在精度和稳定性方面。对于成熟制程,这些问题已经不再突出。
《21世纪》:量检测设备的物镜和光刻机物镜是同一类产品吗?
温任华:两者有所不同。光刻机物镜系统体积很大,量检测设备的物镜则需要根据具体应用专门定制,既要兼顾较大的视场,也要具备较高的数值孔径(NA)。
目前,我们也在尝试与国内外供应商联合定制。常规工业物镜强调通用性,但面对专业量检测场景时存在一定局限。国内从事高端物镜加工的企业并不多,这类产品不仅取决于光学设计和制造工艺,也依赖超精密机床等加工设备,还需要经验丰富的工程师长期积累。国内相关产业发展时间较短,存在短板是客观现状。
《21世纪》:魅杰的套刻精度量测设备已从45纳米、6英寸和8英寸产线向28纳米及更先进制程推进。目前28纳米设备的商业化处于什么阶段?
温任华:2024年1月30日,公司交付了28纳米套刻精度量测设备,并于2025年上半年完成验收。自去年以来,28纳米设备已经进入批量化阶段。
2025年,公司还交付了两台14纳米套刻精度量测设备,在国内同类企业中推进速度较快。我们预计今年完成7纳米套刻精度量测设备的研发。国内能够进入7纳米套刻量测领域的企业很少。
《21世纪》:向更先进制程和12英寸产线突破,主要技术门槛在哪里?
温任华:量检测设备是光、机、电、软件、算法和工艺高度融合的产品。行业里常说“一代材料、一代工艺、一代设备”。做出从0到1的样机只能称为实现突破,从1到10是小批量,从10到100才是大批量。设备做出来以后,必须进入产线长期运行,并结合大量产线工艺数据持续分析和优化。
向先进制程发展,首先要解决高端零部件问题。例如,量测光源在14纳米及以上制程的应用中问题不大,但到了7纳米仍有挑战。高端运动台也是一个难点,目前我们在14纳米设备上仍主要使用进口运动台,国内产品的一些关键参数尚难满足要求。此外,高端探测器对微弱信号的探测灵敏度要求很高,也需要进一步突破。
制程进入7纳米及以下后,对位移控制的要求会从纳米级进一步提升至亚纳米级,需要借助高端压电器件和柔性铰链等实现极其微小的调节,相关器件目前仍较依赖进口。
另一个瓶颈是产线和数据。国内7纳米、5纳米产能规模仍然有限,可供设备验证的场地不多,能够用于大规模建模和分析的数据量也不够。对量检测设备企业而言,缺少足够的产线数据会直接影响产品迭代和批量化进程。