中欣晶圆申请硅粉残留吹扫装置相关专利,该装置协同清硅粉,提硅片清洁度与良率
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2026-08-29 10:55:18

8月29日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“倒角边缘硅粉残留吹扫装置及其控制方法”的专利。申请公布号为CN122644334A,申请号为CN202610936296.0,申请公布日期为2026年8月28日,申请日期为2026年6月26日,发明人方一栋,专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙),专利代理师沈相权,分类号B08B5/02、B08B13/00、B08B15/04、B28D7/02。

专利摘要显示,本发明涉及一种倒角边缘硅粉残留吹扫装置及其控制方法,所属硅片加工技术领域,包括硅片倒角机,其内设有吹扫组件、吸盘及吸尘环箱;吹扫组件包括升降气缸、旋转气缸、摆角调节臂、自锁气阀及吹扫枪,吹扫枪前端设有扁平扇形喷嘴;吸尘环箱内侧设有吸尘孔,外侧连接真空泵。其控制方法为:倒角完成后硅片继续旋转,升降气缸驱动吹扫枪至最佳高度,旋转气缸调节角度并触发自锁气阀开启,利用扁平扇形气流对边缘进行面状吹扫剥离硅粉;同时真空泵启动产生负压,通过吸尘孔将扬尘同步吸入吸尘环箱集中排出。实现了吹扫与吸尘的精准协同,有效清除了倒角边缘死角处的硅粉残留,杜绝了粉尘二次飞扬污染,显著提升了硅片清洁度与加工良率。

天眼查数据显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日,法定代表人贺贤汉,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为大型,注册资本523559.0107万人民币,实缴资本122666.67万人民币,注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息478条,拥有行政许可23个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种防边缘塌边的硅片磨片工艺发明专利公布CN202611000756.52026-07-07CN122626084A2026-08-25缪燃
2半导体晶圆粗抛液精准配液装置及其配液方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610948076.X2026-06-29CN122516906A2026-08-07毛国领
3倒角边缘硅粉残留吹扫装置及其控制方法发明专利公布CN202610936296.02026-06-26CN122644334A2026-08-28方一栋
4校准ICP-MS前机台的清洗方法发明专利公布CN202610743000.32026-05-27CN122462314A2026-07-28苏慧云
5晶圆边缘抛光真空吸盘抛布精准定位工装及其控制方法发明专利公布CN202610714833.72026-05-22CN122645192A2026-08-28陈彬
6硅片双面抛光抛光垫的贴附优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610460108.12026-04-09CN122442510A2026-07-24吴平
7一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军
8一种基于H发明专利实质审查的生效、公布CN202610435085.92026-04-03CN122318758A2026-06-30王鸣
9LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌
10研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法发明专利实质审查的生效、公布CN202610381764.22026-03-26CN122335698A2026-07-03冯黎明
11一种能准确检出重掺品单晶气孔不良率的检出系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610364165.X2026-03-24CN122305916A2026-06-30张晨阳、康海洋、蔡敏杰
12减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群
13硅片研削设备平坦度TTV稳定性加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357084.72026-03-23CN122299516A2026-06-30苏鹏辉
14一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨
15一种外延污染监控硅片及其生产方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610299599.62026-03-12CN122180364A2026-06-09孙若力
16基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱
17一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191045.42026-02-10CN122270106A2026-06-23吴瑶
18针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦
19CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖
20用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪
21基于复合化学机械抛光与低损伤等离子蚀刻的晶圆表面协同处理工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610124745.12026-01-29CN122206247A2026-06-12裴宁
22一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰
23改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀
24通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会
25一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺
26针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东
27提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀
28一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
29检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧
30一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群
31一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃
32降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏
33一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智
34一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠
35一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽
36一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛
37一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东
38一种用于半导体晶圆化学机械抛光的低缺陷率复合抛光液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020703.12025-12-30CN121950188A2026-05-01姜翠兰
39基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红
40一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎
41一种高生长速率的EPI生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博
42一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮
43颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌
44转品名自动核对的技术方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953332.62025-12-23CN121958521A2026-05-01张靖
45针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮
46一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳
47一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏
48一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊
49基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜
50采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏

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