日本NAND闪存制造商铠侠控股与其制造合作伙伴闪迪(SNDK.US)计划在日本投入超过5万亿日元(约合314亿美元)，大幅提升产能，以缓解AI数据中心关键存储元件供应紧张的局势。

铠侠首席执行官Hiroo Ota周四表示，这家总部位于东京的闪存巨头计划在未来六年内完成上述投资规模，其中仅北上(Kitakami)新工厂一项即拟投入1.8万亿日元。该工厂将生产最新一代高密度3D闪存芯片，专门面向AI服务所产生的海量工作负载进行优化。

此次铠侠携手闪迪的扩产计划，折射出全球头部存储芯片制造商正面临日益增长的压力——必须加速释放产能，以缓解当前芯片短缺引发的电子产品成本上涨问题。目前，存储芯片价格在全球范围内持续攀升，已对英伟达(NVDA.US)、各大汽车制造商及移动设备厂商的利润空间构成挤压。在早些时候的财报电话会议上，英伟达高管也就供应紧张和利润率承压发出预警。

Ota在与日本首相高市早苗会晤后表示：“北上工厂将成为我们尖端NAND芯片的核心生产基地，我们预计该基地业务将实现显著增长。”他同时透露，铠侠希望日本政府能承担约三分之一的扩建成本。

闪迪首席执行官David Goeckeler则在同场会谈中向高市早苗发出参访工厂的邀请，并表示：“随着今天合资项目的公布，再加上政府的支持，我们正助力日本在该关键技术上确立全球领先地位。”

受此消息提振，铠侠股价周四在东京市场收涨5%。

当前，从Alphabet(GOOGL.US)到Meta(META.US)等大型科技企业纷纷签署多年期合同，以确保数据中心的存储供应，这推动铠侠的韩国竞争对手三星电子(SSNLF.US)和SK海力士(SKHY.US)相继出台大规模资本支出计划。与此同时，中国长江存储正以较低利润率的消费级市场为突破口，持续抢占份额。但近期，市场担忧铠侠的扩产时机可能恰逢未来供过于求的周期拐点，这一预期令其股价承压——自6月高点以来已累计腰斩。

花旗分析师Takero Fujiwara认为，铠侠完全有能力凭借在手现金轻松支撑数十亿美元的资本支出。“尽管公司对资本支出保持审慎，但我们认为它已展现出在必要时果断投资的决心，”他表示。

日本政府近年来持续向境内设厂的芯片制造商提供财政支持，包括台积电(TSMC.US)、索尼集团(SONY.US)及美光科技(MU.US)，意在重夺日本在半导体领域昔日的领先地位。铠侠已于上月启动其第十代堆叠BiCS闪存芯片的出货，未来北上基地将专注生产用于数据中心的高端NAND芯片，而位于日本中部三重县的四日市(Yokkaichi)另一主要制造基地，则将聚焦智能手机等消费电子产品的芯片供应。