芯联集成电路制造申请缺陷定位方法相关专利,降倾斜误差,抑定位漂移,精准圈定缺陷区域
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2026-08-22 09:24:50

8月22日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质”的专利。申请公布号为CN122612651A,申请号为CN202610846155.X,申请公布日期为2026年8月21日,申请日期为2026年6月12日,发明人李晓童、罗昌平、李剑,专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师曹廷廷,分类号G01N23/2251、G01N23/2255、G01N23/2204。

专利摘要显示,本发明提供一种缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质,包括:在样品表面选取三个不共线的参考点;调整样品台的倾斜角,使样品的法线方向与扫描镜头的光轴方向之间的夹角小于预设值;以三个所述参考点为坐标原点,分别计算缺陷相对于各所述参考点的坐标位置,得到三个缺陷可能位点;根据所述三个缺陷可能位点圈定出目标缺陷区域。本发明实施例提供的缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质,通过调整样品台的倾斜角,显著降低了样品倾斜带来的系统误差;另外,采用三点定位方法,利用三个参考点相互校验和约束,有效抑制了单一参考点带来的定位漂移。

芯联集成是国内领先的MEMS与功率器件晶圆代工服务商,具备全产业链一体化服务优势,公司成立于2018年3月9日,2023年5月10日登陆上海证券交易所,注册及办公地点均位于浙江省绍兴市。

芯联集成主营业务覆盖MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,可为客户提供一站式系统代工解决方案,所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,同时布局储能、特高压赛道,实际控制属性为政府控股。

2026年上半年,芯联集成实现营业收入45.62亿元,在申万集成电路制造行业1家可比样本中位列第一,该数值与行业平均数、行业中位数持平;同期实现净利润4136.02万元,同样在行业内排名首位,与行业平均、行业中位水平完全一致。

指标类型 报告期 芯联集成数值 行业排名 行业平均数 行业中位数 行业可比家数
营业收入 2026年上半年 45.62亿元 1 45.62亿元 45.62亿元 1
净利润 2026年上半年 4136.02万元 1 4136.02万元 4136.02万元 1

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610846155.X2026-06-12CN122612651A2026-08-21李晓童、罗昌平、李剑
2光刻掩膜和图形化方法发明专利公布CN202610649381.92026-05-12CN122488424A2026-07-31李悦、眭小超
3一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛
4半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利授权CN202610603325.12026-05-06CN122138453B2026-07-21黄艳、赵晓燕
5红外传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610588080.X2026-04-29CN122505417A2026-08-04周健
6晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610504645.12026-04-16CN122341221A2026-07-03李悦、眭小超
7半导体器件背面金属化的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488963.32026-04-14CN122396221A2026-07-14黄旭波、眭小超
8一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488964.82026-04-14CN122396034A2026-07-14金善武、李婧、程显、张文博、姚泽辉
9振膜及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610430343.42026-04-02CN122349078A2026-07-07李佳利、徐泽洋、王鹏、鲁列微
10半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610420503.72026-04-01CN122340816A2026-07-03王强、孙金山、顾学强、宋苗苗
11半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610404592.62026-03-30CN122318834A2026-06-30徐鹏、张偲、王天然、张俊龙
12半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610400260.02026-03-30CN122340887A2026-07-03田淑芳、赵晓燕、黄艳
13深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利实质审查的生效、公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文
14电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文
15封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610350219.72026-03-20CN122318819A2026-06-30张坦、李婧、吴桥伟
16半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳
17LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟
18套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀
19霍尔器件及其制造方法发明专利授权CN202610321598.72026-03-17CN121888864B2026-07-10黄艳、赵晓燕
20半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610319423.22026-03-16CN122318295A2026-06-30黄艳、赵晓燕
21MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海
22半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264470.12026-03-05CN122301116A2026-06-30王曦
23一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟
24DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟
25MEMS微镜及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏
26半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊
27垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼
28一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕
29滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋
30MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋
31MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏
32高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪
33半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛
34深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭
35用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆
36负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩
37封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能
38一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶
39电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏
40一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶
41输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰
42一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文
43一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭
44晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽
45一种MEMS加速度计及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511852166.02025-12-10CN121276091A2026-01-06马玉莎、张兆林、王红海
46屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法发明专利公布CN202511837217.22025-12-08CN121645929A2026-03-10刘书晓、周圣杰
47高压半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511834633.72025-12-08CN121310568B2026-03-24谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽
48麦克风及其制造方法发明专利授权CN202511824007.X2025-12-05CN121262521B2026-03-31唐丽文
49产品检测方法、装置、存储介质和电子设备发明专利授权CN202511823575.82025-12-05CN121276286B2026-05-01孙海丽、康栋、王颖、李鹏
50RC-IGBT及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511808670.02025-12-03CN121310558A2026-01-09唐伟闻、余龙

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