观点网讯:2026年8月20日,摩根士丹利发布研究报告,预测成熟型DRAM内存和NAND闪存芯片的供应紧张状态可能进一步恶化。该机构预测2026年第3季度全球DDR4内存价格将上涨50%,第4季度再上涨10%以上。
报告指出,存储厂商将晶圆产能转向HBM、DDR5和高层数NAND是导致供应紧张的核心原因。这一产能转移趋势预计将持续,进一步收紧成熟型内存的供给。
摩根士丹利还预计,SLC NAND价格涨幅更高,2026年第3、4季度均上涨50%以上。
此次预测对存储产业链上下游可能产生广泛影响。PC厂商和服务器厂商或将面临内存成本上升的压力,而内存模组商则可能受益于库存增值。不过,该预测基于当前产能转向趋势,若趋势变化,实际价格走势可能不同。
免责声明:本文内容与数据由观点根据公开信息整理,不构成投资建议,使用前请核实。