芯片板块在市值蒸发 2 万亿美元后小幅尝试反弹，指数当前运行至回调与破位的临界分水岭。

　　费城半导体指数（^SOX）正在测试约 12000 点一线，该点位 5 月曾短暂止住下跌，形成经典技术形态：前期阻力位有机会转化为新支撑，但前提是价格回落时买盘主动护盘。一个月前多头曾成功守住该区间。

　　对费城半导体指数而言，多头必须守住的收盘关键支撑位约 11950 点；对应半导体 ETF（SOXX）支撑位在 535 美元附近。

• 若站稳支撑：指数反弹有望顺势冲击 13000 点，上方强阻力位于 14000 点；
• 若有效跌破支撑：技术面将快速转空，指数或直接下探 11000 点，跌幅接近千点。

　　本次支撑位承压背后，抛售压力真实且巨大。

　　6 月 22 日是费城半导体指数、朗希尔存储 ETF（DRAM）及多数芯片股的收盘峰值。自当日起，雅虎财经统计的近 60 只芯片成分股市值合计蒸发约 2.1 万亿美元，个股跌幅中位数达 21%。

　　存储 ETF DRAM 已正式进入熊市区间（高点收盘至今跌幅超 20%）；而费城半导体指数对应的熊市临界点位更低，约 11700 点。

　　存储芯片仍是板块最大承压源头。三星（005930.KS）、SK 海力士（000660.KS）隔夜再度大跌 6%，创下六周新低。

　　三星自高点累计跌幅超 25%，美光（MU）同步下跌 25%，SK 海力士高点回撤幅度达 30%。

　　SK 海力士定于本周五登陆纳斯达克，此次上市将成为衡量 AI 存储赛道市场情绪的实时风向标。

　　路透社消息，本次约 280 亿美元规模的美国存托凭证（ADR）发行超额认购倍数极高，说明即便板块遭遇抛售，机构资金仍有配置意愿。

　　看多芯片板块的投资者当下目标十分明确：守住费城半导体指数 11950 点、SOXX 535 美元关口，本轮下跌仅视作回踩确认支撑；一旦收盘跌破该区间，下跌通道将彻底打开，指数直奔 11000 点。