7月4日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为“一种半导体处理设备”的专利。申请公布号为CN122341108A,申请号为CN202411998399.7,申请公布日期为2026年7月3日,申请日期为2024年12月31日,发明人龚岳俊、李雪子,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师张俊珏、张静洁,分类号H10P72/00、C23C16/02、C23C16/455、C23C14/02。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体处理设备,包含:至少两个处理腔,共用一套抽真空装置;处理腔内包括:基座,用于承载晶圆;阻气环,其围绕在基座外周,将处理腔内的空间分为气路连通的晶圆处理区和补气调压区;底部内衬环,其将补气调压区分为补气区和调压区,补气区气路连通外部的补充气体源,调压区气路连通补气区、晶圆处理区和抽真空装置,底部内衬环上开有多个连通补气区和调压区的第一通气孔;通过调节第一通气孔的分布,以分区域调节向调压区内注入的补充气体流量,实现晶圆处理区内的气流场均匀分布。本发明的优点包括:能够使各处理腔的晶圆处理区域的工艺气体均匀分布,提高晶圆处理的质量和效率,减少腐蚀性的工艺气体在处理腔内的扩散体积。
天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期2004年5月31日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本62614.5307万人民币,实缴资本62691.781万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了30家企业,参与招投标项目88次,财产线索方面有商标信息114条,专利信息1733条,拥有行政许可88个。
中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种射频功率供应系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511924458.0 | 2025-12-18 | CN121879506A | 2026-04-17 | 倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰 |
| 2 | 一种工艺顶盖及气相沉积设备 | 实用新型 | 授权 | CN202521979639.9 | 2025-09-15 | CN223458392U | 2025-10-21 | 刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平 |
| 3 | 晶圆托盘 | 外观专利 | 授权 | CN202530511724.1 | 2025-08-28 | CN309976984S | 2026-05-12 | 代宇通、汪国元、黄稳、姜勇 |
| 4 | 聚焦环 | 外观专利 | 授权 | CN202530468204.7 | 2025-08-08 | CN310024085S | 2026-06-09 | 范光伟、周艳 |
| 5 | 聚焦环 | 外观专利 | 授权 | CN202530468218.9 | 2025-08-08 | CN310024087S | 2026-06-09 | 范光伟、周艳 |
| 6 | 聚焦环 | 外观专利 | 授权 | CN202530468041.2 | 2025-08-08 | CN310024084S | 2026-06-09 | 范光伟、周艳 |
| 7 | 气体喷淋头 | 外观专利 | 授权 | CN202530466397.2 | 2025-08-07 | CN309910861S | 2026-04-10 | 孟可、周艳、李开元 |
| 8 | 气体喷淋头 | 外观专利 | 授权 | CN202530466450.9 | 2025-08-07 | CN309910862S | 2026-04-10 | 朱永成 |
| 9 | 气体喷淋头 | 外观专利 | 授权 | CN202530466394.9 | 2025-08-07 | CN309910860S | 2026-04-10 | 周艳、李开元 |
| 10 | 接地环 | 外观专利 | 授权 | CN202530466452.8 | 2025-08-07 | CN310024083S | 2026-06-09 | 周艳、李开元 |
| 11 | 一种气相沉积装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521091304.3 | 2025-05-29 | CN224337694U | 2026-06-09 | 何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊 |
| 12 | 一种聚焦环功率调节组件 | 实用新型 | 授权 | CN202520964307.7 | 2025-05-15 | CN224342273U | 2026-06-09 | 田宁、叶如彬、范光伟 |
| 13 | 一种等离子体处理装置及其约束环组件 | 实用新型 | 授权 | CN202520892625.7 | 2025-05-07 | CN224342272U | 2026-06-09 | 叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁 |
| 14 | 一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置 | 实用新型 | 授权 | CN202520892567.8 | 2025-05-07 | CN224350749U | 2026-06-12 | 董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远 |
| 15 | 一种金属钛层的沉积工艺 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510559967.1 | 2025-04-29 | CN122214841A | 2026-06-16 | 沈成绪、许灿 |
| 16 | 反应腔、高深宽比结构及其形成方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510550377.2 | 2025-04-28 | CN120072612B | 2025-07-25 | 尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强 |
| 17 | 基片托盘 | 外观专利 | 授权 | CN202530230568.1 | 2025-04-25 | CN309730273S | 2026-01-09 | 陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开 |
| 18 | 基片托盘 | 外观专利 | 授权 | CN202530230569.6 | 2025-04-25 | CN309730274S | 2026-01-09 | 陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开 |
| 19 | 环组件及外延生长设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520811017.9 | 2025-04-25 | CN224337799U | 2026-06-09 | 张辉、姜银鑫、陆顺开 |
| 20 | 一种下电极组件及等离子体处理设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520786770.7 | 2025-04-23 | CN224342271U | 2026-06-09 | 叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可 |
| 21 | 一种半导体处理设备及其气体喷淋头 | 实用新型 | 授权 | CN202520786902.6 | 2025-04-23 | CN224343720U | 2026-06-09 | 程程、李雪子 |
| 22 | 电磁线圈组件及半导体加工设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520763154.X | 2025-04-21 | CN224232426U | 2026-05-12 | 王亚军、周国祥 |
| 23 | 一种磁控管组件及磁控溅射设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520736456.8 | 2025-04-17 | CN224337693U | 2026-06-09 | 刘畅、刘恺民、王能语 |
| 24 | 一种基片处理系统 | 实用新型 | 授权 | CN202520716379.X | 2025-04-15 | CN224267209U | 2026-05-22 | 徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星 |
| 25 | 一种气相沉积设备及半导体处理系统 | 发明专利 | 公布 | CN202510444720.5 | 2025-04-09 | CN120830094A | 2025-10-24 | 尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅 |
| 26 | 一种升降驱动组件和半导体工艺设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520618963.1 | 2025-04-02 | CN224020732U | 2026-03-20 | 李琳、王许、朱永成、周艳 |
| 27 | 下电极组件及等离子体处理设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520539349.6 | 2025-03-25 | CN224123342U | 2026-04-14 | 田宁、叶如彬、范光伟 |
| 28 | 一种掩膜结构形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510293724.8 | 2025-03-12 | CN121496378A | 2026-02-10 | 罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海 |
| 29 | 掩膜结构及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510293826.X | 2025-03-12 | CN121496322A | 2026-02-10 | 罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海 |
| 30 | 一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510293764.2 | 2025-03-12 | CN121496321A | 2026-02-10 | 尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙 |
| 31 | 等离子体约束结构及等离子体处理设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520402185.2 | 2025-03-07 | CN224232637U | 2026-05-12 | 叶如彬、马越、王洪青、范光伟 |
| 32 | 一种环组件及成膜装置 | 实用新型 | 授权 | CN202520251908.3 | 2025-02-17 | CN223780392U | 2026-01-09 | 郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟 |
| 33 | 一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510165658.6 | 2025-02-14 | CN119673741B | 2025-05-30 | 叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟 |
| 34 | 一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520210442.2 | 2025-02-10 | CN222637222U | 2025-03-18 | 卢明、李博睿、倪图强 |
| 35 | 一种半导体加工设备及其控制方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510147729.X | 2025-02-10 | CN119601451B | 2025-05-09 | 李博睿、卢明、倪图强 |
| 36 | 一种化学气相沉积装置 | 实用新型 | 授权 | CN202520172387.2 | 2025-01-24 | CN223780352U | 2026-01-09 | 杜冰洁、路今、姜银鑫 |
| 37 | 一种基座及化学气相沉积设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520166280.7 | 2025-01-23 | CN224001504U | 2026-03-17 | 梁轩、徐立、吕术亮 |
| 38 | 一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510098695.X | 2025-01-21 | CN119517722B | 2025-05-13 | 田宁、叶如彬 |
| 39 | 一种隔离结构及化学气相沉积装置 | 实用新型 | 授权 | CN202520123428.9 | 2025-01-17 | CN223780362U | 2026-01-09 | 黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开 |
| 40 | 缓冲装置 | 实用新型 | 授权 | CN202520107111.6 | 2025-01-16 | CN223780359U | 2026-01-09 | 杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业 |
| 41 | 一种化学气相沉积装置 | 发明专利 | 授权 | CN202510073813.1 | 2025-01-16 | CN119932527B | 2026-04-10 | 张辉、姜银鑫、姜勇 |
| 42 | 一种化学气相沉积装置 | 实用新型 | 授权 | CN202520086318.X | 2025-01-14 | CN223780351U | 2026-01-09 | 陆顺开、周子琛、张辉 |
| 43 | 一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411976013.2 | 2024-12-31 | CN119374033A | 2025-01-28 | 徐志鹏、倪图强、连增迪 |
| 44 | 化学气相沉积设备 | 实用新型 | 授权 | CN202423319091.3 | 2024-12-31 | CN223780363U | 2026-01-09 | 朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远 |
| 45 | 一种晶圆承载组件及半导体处理设备 | 实用新型 | 授权 | CN202423320135.4 | 2024-12-31 | CN223899675U | 2026-02-10 | 陈星棋 |
| 46 | 一种等离子体处理设备及方法 | 发明专利 | 公布 | CN202411998363.9 | 2024-12-31 | CN122314725A | 2026-06-30 | 倪图强、王洪青 |
| 47 | 一种空穴注入层、发光二极管及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202411996572.X | 2024-12-31 | CN122318413A | 2026-06-30 | 陶章峰、胡建正、马妮、郭世平、姜勇 |
| 48 | 一种基片的低温刻蚀方法 | 发明专利 | 公布 | CN202411998119.2 | 2024-12-31 | CN122341085A | 2026-07-03 | 魏跃、张凯、朱子琦、邵志平、徐伟娜 |
| 49 | 一种半导体处理设备 | 发明专利 | 公布 | CN202411998399.7 | 2024-12-31 | CN122341108A | 2026-07-03 | 龚岳俊、李雪子 |
| 50 | 一种射频脉冲功率发生方法、装置及等离子体刻蚀机台 | 发明专利 | 公布 | CN202411998625.1 | 2024-12-31 | CN122337969A | 2026-07-03 | 倪图强、刘依 |
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