中欣晶圆申请转品名核对法相关专利,转品名自动核对,解决传统核对低效易错问题
创始人
2026-05-08 11:40:04

5月8日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“转品名自动核对的技术方法”的专利。申请公布号为CN121958521A,申请号为CN202511953332.6,申请公布日期为2026年5月1日,申请日期为2025年12月23日,发明人张靖,专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙),专利代理师沈相权,分类号G06F16/334、G06F16/36、G06F40/194、G06F40/30、G06N5/022。

专利摘要显示,本发明涉及一种转品名自动核对的技术方法,所属制造业数据自动化处理技术领域,包括如下操作步骤:第一步:接收用户输入的原品名和目标品名。第二步:基于自然语言处理技术和特征词提取规则,自动计算并识别原品名与目标品名之间的差异项。第三步:根据识别出的差异项代码,从BIP系统中获取相关的批次数据和品质标准数据。第四步:利用自动核对引擎,对获取的数据进行自动核对分析。第五步:生成包含不满足要求的批次信息的核对报告,并通过可视化界面展示核对结果。具有自动化、智能化、集成化和精准化的特点。解决传统转品名核对过程中存在的人工操作效率低、容易出错、核对项目遗漏和批次信息看错等问题。

天眼查数据显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日,法定代表人贺贤汉,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为大型,注册资本523559.0107万人民币,实缴资本503225.6776万人民币,注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息454条,拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱
2CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖
3改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀
4针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东
5一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
6检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧
7一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群
8一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃
9降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏
10一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智
11一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠
12一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽
13一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛
14一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东
15基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红
16一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎
17一种高生长速率的EPI生产方法发明专利公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博
18一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮
19颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌
20转品名自动核对的技术方法发明专利公布CN202511953332.62025-12-23CN121958521A2026-05-01张靖
21针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮
22一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳
23一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏
24一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊
25基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜
26采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏
27基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511886282.42025-12-15CN121869782A2026-04-17苏鹏辉
28针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞
29一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌
30一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法发明专利公布CN202511831114.52025-12-06CN121908853A2026-04-21郭体强、齐旭东
31硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮
32区分PV型与PI型硅片的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816355.22025-12-04CN121888927A2026-04-17王烨华、康海洋
33预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领
34铬酸回收装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋
35降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511762935.82025-11-27CN121752000A2026-03-27李皓
36用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇
37APCVD背面污迹工艺的优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511730212.X2025-11-24CN121700360A2026-03-20吕进午
38基于化学机械协同与多步应力管理的半导体硅片减薄工艺发明专利公布CN202511681766.52025-11-17CN121670511A2026-03-17何航党、高洪涛
39外延后膜厚及滑移线的改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681767.X2025-11-17CN121712314A2026-03-20何珍碧
40基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681610.72025-11-17CN121700371A2026-03-20吕进午
41硅片少子寿命的RTP前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681768.42025-11-17CN121712321A2026-03-20罗国菁、李涛
42一种半导体双面研磨机纳米级复合研磨粉及研磨液发明专利实质审查的生效、公布CN202511658494.72025-11-13CN121780129A2026-04-03何航党、高洪涛
43基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652781.72025-11-12CN121712262A2026-03-20刘文涛、王骞玮
44基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652782.12025-11-12CN121712282A2026-03-20郭天天
45一种Ar炉氩气与氩氢混气工艺的切换设备及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511626278.42025-11-07CN121700151A2026-03-20平铁卫
46改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平
47硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬
48一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏
49一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威
50一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰

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