5月8日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺”的专利，授权公告号CN116387138B，授权公告日为2026年5月1日。申请公布号为CN116387138A，申请号为CN202310287234.8，申请公布日期为2026年5月1日，申请日期为2023年3月22日，发明人何荣、张森阳、蔡来强、高威、缪燃，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号H10P90/00。

专利摘要显示，本发明涉及一种磨片与腐蚀结合提高硅片正背面平坦度的工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：步骤一：采用磨片设备对硅片进行磨片；磨片去除量为65±5μm，磨片后硅片厚度为770±5μm。将线切后的硅片放置到研磨载体的硅片槽内，每个研磨载体放置5枚硅片，磨片机架上有5个研磨载体，研磨载体的厚度620～737μm，硅片放置好后，开始磨片加工。步骤二：进行腐蚀工艺去除磨片后的损伤层，腐蚀去除量为30±3μm。酸腐蚀前对硅片进行清洗，在腐蚀设备上对硅片进行酸腐蚀。通过磨片和腐蚀2个工艺结合，提高硅片正面背面平坦度，使得抛光前获得较好的正背面平坦度，抛光后能获得较好的平坦度结果。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息454条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方数据库自动发布，不代表Hehson财经观点，任何在本文出现的信息均只作为参考，不构成个人投资建议。如有出入请以实际公告为准。如有疑问，请联系biz@staff.sina.com.cn。