3月21日消息，国家知识产权局信息显示，普冉半导体（上海）股份有限公司申请一项名为“闪存的制造方法”的专利，授权公告号CN115884597B，授权公告日为2026年3月20日。申请公布号为CN115884597A，申请号为CN202310034211.6，申请公布日期为2026年3月20日，申请日期为2023年1月10日，发明人叶晓，专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司，专利代理师郭四华，分类号H10B41/35、H10B41/41、H10B41/42。

专利摘要显示，本发明公开了一种闪存的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底。步骤二、形成存储单元的第一栅极结构。步骤三、形成外围器件的第二栅极结构。步骤四、形成第一层侧墙，包括：步骤41、形成第一侧墙材料层。步骤42、形成第二侧墙材料层。步骤43、进行刻蚀以在各栅极结构侧面自对准形成第二子侧墙。步骤44、将存储单元区中各第二子侧墙都去除。第一子侧墙由位于各栅极结构侧面的第一侧墙材料层组成。第一栅极结构的第一层侧墙由侧面的第一子侧墙组成。第二栅极结构的第一层侧墙由侧面的第一和第二子侧墙叠加而成。步骤五、沉积加刻蚀工艺在各栅极结构的侧面自对准形成第二层侧墙。本发明能减少存储区侧墙宽度和同时增加外围区侧墙宽度。

天眼查数据显示，普冉半导体（上海）股份有限公司成立日期2016年1月4日，法定代表人王楠，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本14804.9102万人民币，实缴资本14804.9102万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区银冬路20弄8号地下1层、地下2层、地下3层、2层、3层、4层、5层。普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息206条，拥有行政许可7个。

普冉半导体（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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