中瓷电子：全域1000V高压平台须用SiC功率器件，子公司产品在验证试用_热点

中瓷电子：全域1000V高压平台须用SiC功率器件，子公司产品在验证试用

创始人

2026-03-10 18:11:20

投资者提问：

全域1000V高压平台，对产业链上游的元器件和材料提出了更高的耐压要求，是不是必须要用到公司的碳化硅器件相关电子封装产品

董秘回答(中瓷电子SZ003031)：

您好，1000V平台要求功率器件耐压≥1500V（留足电压尖峰冗余）。SiC击穿场强是硅的10倍、禁带宽度3倍，可直接支撑1000V母线，避免硅基IGBT复杂多级拓扑与击穿风险。全域1000V平台必须采用SiC功率器件（MOSFET/模块），硅基方案无法满足耐压、效率、功率密度要求。子公司国联万众已有相关碳化硅MOSFET芯片适用于新能源汽车1000V高压平台，且已有终端客户在验证试用。谢谢您的关心。

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