中欣晶圆取得半导体清洗装置相关专利,半导体晶片清洗装置可高效护质清洗
创始人
2026-02-14 10:18:36

2月14日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法”的专利,授权公告号CN115763312B,授权公告日为2026年2月13日。申请公布号为CN115763312A,申请号为CN202211479607.3,申请公布日期为2026年2月13日,申请日期为2022年11月23日,发明人徐新华,专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙),专利代理师沈相权、詹雨露,分类号H10P70/00、B08B3/02、B08B3/04、B08B1/32。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法,该装置包括箱体,箱体内部设置有清洗机构,清洗机构的一部分设置于清洗篮中,清洗机构包括去污辊,去污辊有若干个,若干去污辊的下端活动安装于清洗篮内部底面上,且去污辊的上端穿设于水箱与工作箱而与工作箱顶壁活动相连;若干去污辊在纵向上分为若干组,每一组去污辊等距间隔排列;清洗辊,清洗辊有若干个,清洗辊包括辊柱,每一个辊柱在纵向上设置于相邻的两个去污辊之间,每一个辊柱位于水箱内部的辊壁上均开设有进水口;喷头,喷头均匀分布于辊柱位于清洗篮内部的辊壁上;该装置可以在达到良好清洗效果的同时保护半导体晶片的质量不受损坏。

天眼查数据显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日,法定代表人贺贤汉,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为大型,注册资本523559.0107万人民币,实缴资本503225.6776万人民币,注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息408条,拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领
2改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平
3硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬
4一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏
5一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威
6一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰
7一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统发明专利公布CN202511586203.82025-10-31CN121443043A2026-01-30高威
8流量校准的工具及其使用方法发明专利公布CN202511577872.92025-10-31CN121521229A2026-02-13王方立
9基于红外线阵扫描的倒角机崩边实时检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511567859.52025-10-30CN121104823A2025-12-12杜书红
10一种提升硅片背面去蜡能力的方法发明专利公布CN202511563995.72025-10-30CN121487521A2026-02-06朱墨涵、王骞玮
11基于CMP工序用的研磨液添加系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511549473.12025-10-28CN121223690A2025-12-30杨石平
12一种用于单晶硅片的高效低损伤研磨液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511552895.42025-10-28CN121319792A2026-01-13黄炜霞
13一种针对磨片定盘中沟槽研磨粉的柔性清洁系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511520729.62025-10-23CN121374419A2026-01-23苏鹏辉
14基于自动化监控的单面抛光机台抛头寿命管理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407269.62025-09-29CN121290170A2026-01-09郭天天
15一种基于差异化修整抛光布工艺优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407270.92025-09-29CN121374293A2026-01-23姚胜平
16硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511399762.82025-09-28CN121310868A2026-01-09方一栋、缪燃、唐鸿钦
17改善硅片局部平坦度的抛光工艺发明专利公布CN202511398863.32025-09-28CN121468288A2026-02-06李赛武
18硅片研磨设备的定盘清洁与维护方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511344562.22025-09-19CN121156902A2025-12-19王小明
19SRP过度区宽度的计算方法发明专利公布CN202511344565.62025-09-19CN121463785A2026-02-03吴瑶
20CMP抛光布更换定位导向器及气泡排除辅助夹具发明专利实质审查的生效、公布CN202511296333.82025-09-11CN121179349A2025-12-23陈彬
21具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法发明专利公布CN202511304565.32025-09-11CN121407221A2026-01-27郭体强、齐旭东
22AMAT常压外延炉腔体的正压氦检设备及方法发明专利公布CN202511296263.62025-09-11CN121409526A2026-01-27辜勇
23硅片倒角机清洗槽加工后硅片背面残留水珠清理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511224626.52025-08-29CN121171927A2025-12-19唐鸿钦、杨自立、罗敏杰
24在LPCVD制备工艺中的高稳定性石英硅舟平台结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511224618.02025-08-29CN121161264A2025-12-19刘文涛、李赛武
25无尘室用适应多规格上料的升降式防震动工具车及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511215435.22025-08-28CN121083591A2025-12-09田飞、杨自立
26改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511143738.82025-08-15CN121171964A2025-12-19郑斌
27半导体硅片检测人员智能培训与动态知识管理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511102792.82025-08-07CN121190261A2025-12-23董盼盼、罗敏杰
28半导体硅片返抛品全流程智能管理方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511102795.12025-08-07CN121189357A2025-12-23李叶梅、罗敏杰
29针对磨片机的分体式清洁系统及工艺发明专利公布CN202511050050.52025-07-29CN120755109A2025-10-10苏鹏辉
30用于晶圆加工的BSD实验装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511050080.62025-07-29CN121004547A2025-11-25魏朋朋
31硅片装载泡沫箱开箱工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511017736.42025-07-23CN120793342A2025-10-17杨自立、罗敏杰
32一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510980373.82025-07-16CN121054480A2025-12-02缪燃
33一种针对硅片抛光机的销环柱自动清理系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510973791.42025-07-15CN120734883A2025-10-03王方立
34一种晶圆片的检测系统及方法发明专利公布CN202510973721.92025-07-15CN120992647A2025-11-21李鹏、包亚平
35一种快速校准马波斯气压计的校正工具发明专利实质审查的生效、公布CN202510975826.82025-07-15CN121048825A2025-12-02石建群
36一种提升12寸LTO背封膜厚均一性的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510968442.32025-07-14CN121046812A2025-12-02陈珈璐、高洪涛、何荣
37一种提高双面研削机清洗部清洗效果以及效率的结构和方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510961337.72025-07-14CN121054525A2025-12-02崔银昊
38一种用于改善抛光片平坦度和划伤的方法发明专利公布CN202510961110.22025-07-12CN120772953A2025-10-14张文军
39研磨桶颗粒聚集的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510950873.72025-07-10CN120791624A2025-10-17孙贵昌
40晶圆抛光机回收箱的改造挂件及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510950876.02025-07-10CN120862570A2025-10-31张亚生、孙月超
41一种可视化的自动化仓库点位调整治具及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510930369.02025-07-07CN120622092A2025-09-12钱鹏飞
42降低硅片边缘粗糙度的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510860222.92025-06-25CN120619986A2025-09-12张森阳
43单晶硅快速热处理工艺的氧化诱生层错抑制方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202510836649.52025-06-21CN120844203A2025-10-28王云峰、蔡来强、焦芬芬
44一种降低晶圆体金属的加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510823152.X2025-06-19CN120645044A2025-09-16孙若力
45防止重掺气孔产品流出的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510828853.22025-06-19CN120801345A2025-10-17康海洋、吴瑶、张晨阳
46一种改善硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510813030.22025-06-18CN120591749A2025-09-05焦芬芬
47一种提升12寸晶圆19nm颗粒水平的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510813029.X2025-06-18CN120600627A2025-09-05陈坚
48高平坦度低缺陷密度退火片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510783876.62025-06-12CN120878544A2025-10-31张沛
49对12寸硅片边缘抛光的研磨鼓布快速替换装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510719344.62025-05-30CN120439181A2025-08-08陈彬
50一种针对lpcvd尾气无害化处理装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510719341.22025-05-30CN120679339A2025-09-23平铁卫

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方数据库自动发布,不代表Hehson财经观点,任何在本文出现的信息均只作为参考,不构成个人投资建议。如有出入请以实际公告为准。如有疑问,请联系biz@staff.sina.com.cn。

相关内容

热门资讯

最新或2023(历届)昆明市助... 国家生源地信用助学贷款办理流程  生源地信用助学贷款是国家的一项惠民政策,学生在校读书期间的利息由国...
最新或2023(历届)云南省助... 国家助学贷款的操作流程  一、学生提出申请。  学生在规定的时间内向所在学校机构提出申请,领取《国家...
最新或2023(历届)焦作市市... 昨日,记者从焦作市教育部门获悉,焦作市今年义务教育阶段招生政策已出台,市直义务教育阶段学校的招生计划...
最新或2023(历届)武汉市江... 24日起,江岸区的小学毕业生将首次享受“学区内多校划片”。武汉二初、六初、七一中学等三所优质公办初中...
最新或2023(历届)佛山民校... 明日,为期6天的佛山民校“小升初”面谈将正式拉开大幕。因今年面谈安排时间压缩,或再现学生赶考多场面谈...