（来源：君实财经）

CoWoS封装&3D封装技术交流记录（目录+摘要）

一、国内CoWoS封装企业梯队与核心能力

核心内容

1. 国内CoWoS封装第一梯队为通富微电、盛合晶微、长电科技，是国内CoWoS产能、技术、良率前三，排序为通富微电>长电科技>盛合晶微；

2. 通富微电（大陆民营控股，无台资）聚焦AI算力CoWoS/FCBGA，绑定AMD，2026年CoWoS月产能规划0.8-1.0万片，良率80-85%；

3. 盛合晶微为中段凸块/硅中介层标杆，12英寸Bumping国内第一，2.5D芯粒集成境内市占率85%，2026年月产能规划0.6-0.8万片，良率85%+；

4. 长电科技为全栈全能型，XDFOI平台覆盖全封装类型，2026年CoWoS月产能规划0.5-0.8万片，良率75-80%，全球第三大封测企业。

二、通富/盛合/长电高良率原因&中芯国际布局短板

核心内容

1. 三企业高良率核心：具备封装全流程knowhow与良率管控闭环、高端+国产设备适配组合、与头部客户联合开发、充足资本与规模效应；

2. 三企业同样受高端设备限制，但通过工艺-设备-材料协同、良率补偿机制化解差距，高端设备以进口为主，国产设备做中端替代；

3. 中芯国际暂未实现CoWoS规模化量产，核心短板为封装基因缺失、前后道协同差，生态定位为纯晶圆代工，后道设备/人才储备不足，资本与产能优先级向先进制程倾斜，依赖OSAT企业完成封装环节。

三、通富/盛合/长电：先进产能、业绩&股价弹性对比

核心内容

1. 先进产能（2026）：长电科技（全球第三，240万片8英寸等效/月）>通富微电（全球第四，先进封装占比45%）>盛合晶微（中段产能为主）；

2. 业绩弹性（2026预测）：通富微电（净利润同比60-71%，AI订单爆发，AMD贡献超60%营收）>长电科技（业绩稳健，规模基数大）>盛合晶微（未上市，客户以存储/本土AI为主）；

3. 股价弹性（2026.2.7）：通富微电（市值711.75亿元，AI情绪催化强）>长电科技（市值788.42亿元，波动稳健）>盛合晶微（未上市，流动性弱）。

四、CoWoS封装的行业定位：并非唯一未来，却是当前AI核心主线

核心内容

1. CoWoS是2.5D封装主流方案，为AI/GPU/HBM高带宽异构集成核心，2026年全球需求同比+84.6%，2022-2026年CAGR>50%，是当前增长最快的封装技术；

2. 技术水平上3D封装（混合键合/TSV）高于CoWoS，互连密度、性能表现更优，CoWoS为“平面中介层+并排摆放”，3D封装为“垂直堆叠+最短互连”；

3. 封装行业长期为多路线并行，CoWoS、3D封装、CPO、CoPoS等面向不同场景优化，形成互补生态。

五、3D封装技术核心定义、优势与主流路线

核心内容

1. 3D封装通过TSV（硅通孔）或混合键合实现芯片垂直堆叠，核心路线为TSV+混合键合，混合键合为铜-铜直接键合，互连精度<4μm，TSV主攻HBM堆叠；

2. 与2.5D/CoWoS相比，3D封装封装面积降40-60%，延迟降30%+，功耗降20-35%，可实现逻辑/存储/射频等不同芯片的异构集成；

3. 2024-2030年全球3D封装市场CAGR约19%，2030年规模近350亿美元，3D IC占比将超49.6%，由后摩尔时代制程微缩成本高、AI算力爆发驱动增长。

六、3D封装与CoWoS/2.5D/CPO：2026-2027核心信息对比

核心内容

1. 3D封装（TSV/混合键合）：2026年国内仅长电实现混合键合小批量量产，TSV月产能1.5-2万片，混合键合良率75-80%，客户以本土高端AI/存储为主，国产设备逐步实现中试与批量交付；

2. CoWoS/2.5D：2026年国内三梯队总产能2-2.6万片/月，2027年翻倍至5万片/月，良率2027年接近90%，国产化率超60%，ABF载板国产替代进入中试验证；

3. CPO：2026年国内以小批量送样为主，良率60-70%，无全流程量产产能，仍处于核心器件国产替代阶段，2027年有望实现万级规模量产。

七、3D封装技术未来六大发展趋势

核心内容

3D封装长期以混合键合+TSV为主流，呈现六大趋势：

1. 路线上混合键合全面上位（间距缩至<1μm），TSV聚焦HBM堆叠，二者形成互补；

2. 性能上实现堆叠层数（2030年10-12层）、互连密度、能效三重跃升，热管理技术同步突破；

3. 成本与生态上，混合键合成本持续下降，UCIE等开放标准推动Chiplet+3D深度融合，EDA工具适配全流程仿真；

4. 材料与设备上，玻璃基板替代有机基板，国产设备国产化率2027年有望达60%+；

5. 市场上全球规模高速增长，国内2030年市场规模突破500亿元，国产化份额提升至25%+；

6. 应用上以AI/HPC为核心，逐步向移动终端、汽车电子全场景渗透。

八、EUV缺位下，3D封装+堆叠是本土半导体最优技术路径

核心内容

1. 该判断方向正确，核心理由：绕开EUV封锁，用成熟制程芯粒+3D堆叠实现性能跃升；后道封装设备/材料封锁更松，国产替代进度更快；契合国内AI算力芯片爆发式需求，本土企业已进入产能爬坡；

2. 与台积电的差距校准：若仅看成熟3D/2.5D总产量，依托本土体量与多厂扩产，差距约1-1.5年；若看高端3D（混合键合/CoWoS-L），产能、良率、客户、供应链差距仍在2年+；

3. 本土追赶关键抓手：聚焦HBM/AI芯片场景、绑定本土大客户，推进设备材料国产化协同，Chiplet+3D融合开发，走“2.5D+3D”差异化路线，避开与台积电正面竞争。

九、3D封装总产量：本土与台积电的差距（仅看产能规模）

核心内容

1. 若仅看3D封装总产量（不含良率、客户、工艺层级），国内依托体量大、厂家多、本土需求驱动，在成熟3D/2.5D领域与台积电的产能差距约1-1.5年，符合“半年到一年”的核心判断；

2. 高端3D产能难以靠体量快速拉平，核心制约：高端产线重资产、建设周期长（18-24个月），良率与成本强绑定，国际高端客户与供应链壁垒，核心材料/设备仍存卡脖子环节