2月7日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种提升硅片背面去蜡能力的方法”的专利。申请公布号为CN121487521A，申请号为CN202511563995.7，申请公布日期为2026年2月6日，申请日期为2025年10月30日，发明人朱墨涵、王骞玮，专利代理机构杭州九洲专利事务所有限公司，专利代理师姚旺波，分类号H10P70/00、F26B3/30、F26B21/40、B08B3/12、B08B3/08、B08B3/10。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提升硅片背面去蜡能力的方法，包括：一、兆声协同化学预处理，蜡残留高效活化；预处理液：制备DEA‑TMAH‑UPW混合液；兆声工艺：将硅片背面朝上置于兆声槽，加热至蜡熔融临界温度区间，处理8‑15 min；二、梯度清洗，去除蜡残留与金属杂质：UPW预清洗：三级溢流槽串联清洗之后SC1深度清洗；盐酸除金属：采用0.5%‑3%稀盐酸，常温浸泡3‑8 min，通过氯离子的螯合作用去除Fe、Cu等金属离子；三、终洗与干燥，保障表面洁净度；UPW终洗之后红外干燥，干燥前采用氮气吹扫去除表面水珠，避免水痕形成。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本503225.6776万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息407条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方数据库自动发布，不代表Hehson财经观点，任何在本文出现的信息均只作为参考，不构成个人投资建议。如有出入请以实际公告为准。如有疑问，请联系biz@staff.sina.com.cn。