截至2026年2月5日 10:42，科创芯片设计ETF(588780)盘中换手6.12%，成交5083.47万元。成分股方面涨跌互现，国芯科技领涨5.97%，臻镭科技上涨4.05%，力芯微上涨1.28%；芯原股份领跌7.11%，盛科通信下跌4.28%，睿创微纳下跌3.79%。

据Wind数据显示，截至2月4日，科创芯片设计ETF(588780)近20个交易日内获资金净流入1.14亿元。

科创芯片设计ETF(588780)是跟踪科创芯片指数的同类产品中，成立时间最早、规模最大的产品，持续关注上涨势头。

消息面上，日前，Counterpoint Research报告表示，NAND闪存价格预计将在本季度上涨超过40%。涨价源于各大原厂为了满足AI服务器日益增长的NAND需求而削减了消费级产能，此外美光宣布关闭英睿达的决策也加剧了市场的焦虑情绪。

该机构分析师表示，当前NAND原厂产能扩张计划整体节奏谨慎且推进缓慢，铠侠-闪迪的北上Fab 2晶圆厂预计于2026年下半年开始对全球NAND整体产能产生显著影响，因此上半年NAND闪存价格将维持强势运行态势。

Counterpoint表示，预计台积电未来3年将针对位于台南的12 英寸晶圆厂Fab14成熟制程产能减产15%～20%，月产能将因此减少5万片晶圆。

中山证券指出，此举将强化晶圆代工环节对设计公司的协同约束力，倒逼国内芯片设计企业加速向高附加值、差异化IP和定制化SoC方向升级，尤其利好具备成熟制程优化能力及先进封装适配经验的设计厂商。

科创芯片设计ETF(588780)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

科创芯片设计ETF(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：“成立最早、规模最大”指截至2026.2.4，科创芯片设计ETF为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。