1月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法”的专利，授权公告号CN113745117B，授权公告日为2026年1月9日。申请公布号为CN113745117A，申请号为CN202111024378.1，申请公布日期为2026年1月9日，申请日期为2021年9月2日，发明人乐双申、何增谊、张立波、董建新、吴兴敏，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师李磊，分类号H10D30/01、H10D30/66。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法，该晶体管由于制作过程中选择性地对栅极沟槽对应的氧化层进行刻蚀后，在正表面上再次沉淀氧化物，因此，该晶体管栅极沟槽和源极沟槽之间的氧化层呈阶梯状，靠近源极沟槽的氧化层的厚度大于靠近栅极沟槽的氧化层的厚度，由于制造过程中通过光刻胶等临时保护材料对源极沟槽的遮蔽，使得源极沟槽内填充的氧化层中不再出现凹坑，避免了源极沟槽内的氧化层上的凹坑内进入栅极多晶硅，导致具备SGT结构的MOSFET存在栅极源极短路的风险。

天眼查数据显示，上海韦尔半导体股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本121442.6982万人民币，实缴资本1195万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息58条，专利信息204条，拥有行政许可15个。

上海韦尔半导体股份有限公司近期专利情况如下：

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