天岳先进(688234.SH)：半绝缘碳化硅衬底正是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料_热点

天岳先进(688234.SH)：半绝缘碳化硅衬底正是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料

创始人

2025-12-11 16:55:59

格隆汇12月11日丨天岳先进(688234.SH)在互动平台表示，从SiC技术路线本身来看，SiC导电型器件的频率和散热性能均非常优秀，SiC导电型器件也有在相关机器人领域方向进行应用拓展，公司目前也正在积极推进相关产业化合作。关于您提及的具体问题： 1.关于具体产品的技术路线对于宏微科技（维权）、英诺赛科等友商在特定领域（如人形机器人伺服电机）的具体产品技术路线（是采用GaN-on-Si还是GaN-on-SiC），属于相关公司的具体经营细节，建议您以相关公司官方披露的信息为准。 2.从行业技术逻辑来看： GaN-on-Si（硅基氮化镓）：目前在消费电子、中低压功率器件领域应用较多，具有成本优势。 GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）：结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能，通常用于对散热要求极高、稳定性要求严苛的射频（RF）领域或高端功率领域。天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅衬底供应商。首先，传统意义上来看，半绝缘碳化硅衬底主要应用于5G通信、雷达等射频领域，随着人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件需求的提升，确实有助于拓宽公司半绝缘产品的下游应用场景，为公司带来新的增长机遇。半绝缘碳化硅衬底正是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料。若下游人形机器人等高端智能装备为了追求更高的功率密度、更小的体积以及更优异的散热性能，选择采用GaN-on-SiC技术路线来制造伺服电机驱动器，那么这将直接增加对半绝缘碳化硅衬底的需求。

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