(来源:半导体前沿)
7月29日消息,据《韩国经济日报》报道,在三星与特斯拉达成总价值165亿美元的芯片代工合约之后,三星准备对美国追加70亿美元的投资,以便在美国建立一座半导体先进封装工厂。
报道称,三星董事长李在镕预计将很快访问美国,参与正在进行的贸易谈判。因此,这家韩国巨头预计将会在谈判期间或谈判结束后,正式宣布这项增加对美国投资的计划。预计这一投资也将成为韩国在与美国达成关税协议方面发挥积极作用的筹码。
三星早在2021年宣布在美国德克萨斯泰勒市(Taylor)建一座5nm晶圆厂。虽然面临当地的通货膨胀、劳动力和材料成本上涨等挑战,使得该晶圆厂的投资额增长到了170亿元,整体的进度也持续延宕。
今年4月,《华尔街日报》曾报道称,三星计划在此前已经宣布的对美国投资170亿美元的基础上,再兴建一座新的先进制程晶圆厂、一座先进封装厂和一个研发中心,使得总体的投资金额达到约 440 亿美元 。不过,最新的消息称,由于经济放缓和缺乏客户,这一投资削减了数十亿美元。
然而,随着三星成功拿下特斯拉高达165亿美元的芯片代工合约之后,极大地增强了三星继续在美国投资的信心。
三星电子在本周一送交的相关文件中宣布,已签署价值165亿美元的芯片代工合约,而该合约相当于三星2024年营收的7.6%。三星表示,该合约将于7月24日生效,有效期至2033年12月31日。虽然三星未披露具体客户名称,但业内人士猜测,该客户很可能是美国电动汽车厂商特斯拉。随后,特斯拉CEO马斯克也确认了这一消息。
因此,三星有望将加快推进其位于美国德克萨斯泰勒市晶圆厂的量产。同时,为了在当地完成主要的制造流程,三星计划对美国追加70亿美元的投资,以便在美国建立一座半导体先进封装工厂。
由于目前美国还没有任何高端的先进封装厂,而台积电计划在美国建设的先进封装预计要等到2029年左右才可能量产。因此,对于三星来说,尽早在美国建立先进封装厂,将有助于三星提升在美国晶圆代工市场的竞争力,可以更好的与台积电竞争。
《韩国经济日报》还指出,三星并不是唯一一家预计将向美国追加数十亿美元投资的韩国公司。SK海力士也计划在美国建立先进的DRAM工厂用于HBM生产,以满足英伟达等主要客户的需求。这些投资是韩国代表团为确保与美国达成更好协议而做出的努力的一部分,预计双方将很快达成有效结论。
来源:官方媒体/网络新闻
会议背景
电子特气是半导体制造中的关键材料,对芯片性能和良率有直接影响,是半导体制造的第二大耗材,占比约14%。2025年,中国电子特气市场规模近300亿,且保持每年10%的增长。
追随空气化工、林德、液化空气、大阳日酸等国际企业的步伐,国内电子特气企业金宏气体、华特气体、南大光电、中船特气和雅克科技等纷纷取得突破。国内企业已经在关键领域实现突破,产品进入台积电、美光、中芯国际等国际头部晶圆厂供应链。然而,高端前驱体和光刻气等仍依赖进口,国产化率低,具备很大的发展潜力。
2024年全球半导体金属/氧化物前驱体市场规模达17亿美元,同比增长15%。中国作为重要市场,亚化咨询预计2028年半导体前驱体市场将达12亿美元。主要受益于存储芯片及逻辑芯片先进制程的需求。伴随中芯、华润、华虹、长江存储、长鑫、等本土晶圆厂扩产,国产前驱体在纯度、定制化解决方案领域替代空间巨大。国内龙头企业雅克科技、南大光电、正帆科技发展迅速,厦门恒坤、上海至纯等在前驱体领域也不断推进。
2025电子特气与半导体前驱体论坛(AESG2025)将于9月25-26日在苏州召开。会议由亚化咨询主办,金宏气体等企业战略支持。将探讨电子特气与前驱体发展现状与趋势,搭建产学研平台,聚焦技术创新、工艺优化、供应链安全与合作,推动半导体核心材料跨越式发展。
会议主题
全球与中国半导体发展的材料需求
半导体特气国产化进程与高端市场突破
电子特气与前驱体在晶圆厂的认证
金属/金属氧化物/硅基前驱体与掺杂材料技术
从实验室到量产:电子气体与前驱体的产业化
ALD/CVD前驱体材料的国产化现状与未来方向
ArF/DUV/EUV光刻过程中的气体纯度与控制技术