（来源：第三代半导体产业）

在半导体产业追求自主可控与高质量发展的浪潮中，广州粤升半导体设备有限公司传来振奋人心的消息——公司自主研发的 8 英寸碳化硅（SiC）外延设备成功完成研发并顺利交付标杆客户。这一成果不仅是企业自身技术实力发展的重要里程碑，更标志着中国 SiC 产业在关键设备领域实现了自主可控，为行业高质量发展注入了强劲动力。

设备性能：多项关键指标达国际先进水平

广州粤升自研的SiC外延设备所生长的8英寸SiC外延片在多项关键指标上表现亮眼，典型数据如下：

膜厚与掺杂浓度不均匀性：外延片膜层厚度不均匀性小于0.5%，掺杂浓度不均匀性小于1.2%。

表面粗糙度：多点AFM测试结果显示外延片表面粗糙度均小于0.160 nm。

表面缺陷：外延片表面缺陷数量少，3mm×3mm管芯良率达到99%以上。

膜厚与掺杂浓度不均匀性

表面粗糙度

表面缺陷情况

产业升级：赋能SiC产业高质量发展

当前，半导体设备的国产化和自主可控已成为国家战略的迫切需求。“一代材料，一代器件，一代装备”，设备作为产业链的核心环节，其技术突破对整个产业的升级具有决定性意义。广州粤升8英寸SiC外延设备的成功研发，精准解决了SiC产业链中关键环节的技术痛点，助力我国宽禁带半导体产业的高质量发展。

广州粤升半导体设备有限公司始终专注于液相法SiC单晶生长设备、气相法SiC外延设备的研发和生产。作为半导体行业的积极参与者，公司深耕 SiC 材料生长装备，凭借持续技术创新，致力于推动半导体行业的高质量发展，为创造美好生活贡献力量。

公司致力于千方百计满足用户的多样化需求，这也是我们创新的最大动力。此次，8 英寸 SiC 外延设备的出货，是广州粤升践行初心的有力证明，也为中国 SiC 产业在全球竞争中占据有利地位奠定了坚实基础。

来源：粤升设备

重要通知：年度国际第三代半导体产业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛& 第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2025）将于11月11-14日在厦门召开。论坛全新升级，数十场前沿主题论坛，2025先进半导体技术应用创新展(CASTAS 2025) 、青年论坛、校友会、City walk等等，还将启动"2025年度中国第三代半导体技术和产业十大进展"征集与评选，瞄准第三代半导体领域前沿技术研究和标志性成果，最终结果令人期待。论坛长期与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore电子图书馆发表。论坛组委会诚邀海内外第三代半导体产、学、研、用、资不同环节的业界同仁，11月相聚美丽温暖的鹭岛厦门，共探产业发展“芯”机会，共创产业发展新未来。