再突破!天成半导体成功研发12英寸N型碳化硅单晶材料!
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2025-07-24 13:43:18
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(来源:第三代半导体产业)

2025年第二季度,山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸(300mm)N型碳化硅单晶材料。

天成半导体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产,先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型单晶材料的生长工艺。12英寸N型碳化硅单晶材料的成功研发,是天成半导体发展史上的一个重要里程碑,更是我们迈向新征程的起点。

接下来,天成半导体将全力以赴推进大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术,深化研发投入,保持技术领先地位。

山西天成半导体材料有限公司总部位于太原市中北高新技术产业开发区,是由多位SiC领域博士及具有头部生产企业任职经历的业内一线人员发起,是一家专注于第三代半导体碳化硅衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。公司自主掌握碳化硅晶锭生长、衬底加工全流程工艺,突破6英寸至8英寸技术瓶颈,实现导电型与半绝缘型晶锭量产。公司具备成熟科研团队、稳定量产工艺、迭代技术储备。截至2025年,公司已建成60台晶体生长炉的现代化生产线,覆盖原料提纯到切磨抛加工全环节。天成半导体在2024年实现2100万元营收,装备销售占比高达80%,2025年已斩获上亿元订单。

来源:天成半导体

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