英飞凌宣布扩展GaN晶圆代工,台积电选择退出
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2025-07-05 10:35:15
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英飞凌(Infineon)宣布,随着市场对氮化镓(GaN)半导体的需求持续增长,决定利用好这一趋势,巩固其作为氮化镓市场领先集成器件制造商(IDM)的地位,将进军氮化镓300mm晶圆代工。英飞凌将于2025年第四季度向客户提供首批样品,从而进一步扩大客户群。

英飞凌掌握了氮化镓300mm晶圆代工所有三种相关材料:硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓。GaN半导体具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗,可实现更小的设计,从而减少智能手机充电器、太阳能逆变器、工业和人形机器人等电子设备的能耗和热量产生。

英飞凌是第一家在现有基础设施中成功开发氮化镓300mm晶圆技术的半导体制造商,与目前的200mm晶圆相比,300mm晶圆的生产技术更先进,效率也更高,因为更大的晶圆直径允许每片晶圆生产更多的芯片,可达到原来的2.3倍。

另一方面,传闻台积电(TSMC)将退出GaN晶圆代工市场,位于中国台湾新竹的晶圆厂相产线将停止生产。台积电已经向DigiTimes证实了该消息,表示经过完整评估后,决定在未来两年内逐步退出GaN晶圆代工业务,这是基于市场和公司长期业务策略下的选择,正在与客户紧密合作,确保过渡期内顺利交接。

据了解,部分厂商选择将订单转向力积电(PSMC)。

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