华创证券发布研报称，近期存储供给收缩催化短周期价格走强，长期来看AI高景气有望推动中长期需求向上。近年服务器NAND和DRAM应用占比持续增长，已成全球存储市场增长核心引擎。国产替代方面，企业级存储国产化大势所趋，国内厂商针对企业级闪存模组&内存模组国产化均有一定进展。

华创证券主要观点如下：

供给收缩催化短周期价格走强，AI高景气推动中长期需求向上

(1)DRAM：原厂停产D4世代供给收缩，PC/server类价格持续上扬DDR4内存已商用15年，因DDR5在性能、功耗、容量上限及可靠性等维度的综合优势，市场需求逐步转向DDR5世代。与此同时，HBM、DDR5和LPDDR5(X)等新世代产品利润率显著高于旧制程，推动内存市场全面向DDR5转型。基于此趋势，三星和SK海力士已将资源重心转向DDR5/LPDDR5高端产品线，逐步缩减旧制程DDR4产能。自24Q4主流存储原厂宣布减产/转产DDR4至今已逾半年，带动DDR4颗粒价格率先触底反弹。受原厂停产催化，内存模组成品市场交易活跃度显著提升，内存模组现货报价持续上扬。合约价方面，除原厂退产DDR4世代产品以外，云厂需求支撑叠加国际形势变化增加备货，Trendforce对于25Q2-25Q3 DDR4模组价格涨幅预期乐观。

(2)NANDFlash：MLC/低容TLC停产推升eMMC价格，原厂减产叠加CSP需求高景气驱动主流NAND模组逐步反弹。与DRAM产业DDR4世代逐步停产类似，存储原厂在NANDFlash领域亦在逐渐推进制程迭代和产品升级，MLCNAND/256Gb TLC原厂退产在即，wafer价格持续拉升。在消费国补及上述低容NAND wafer停产影响下，低容eMMC产品现货价格水涨船高。合约价方面，除低容eMMC等原厂规划停产料号引发价格上涨外，由于云厂需求增长叠加原厂控产，主流NANDFlash亦有望逐步反弹。

企业级存储国产化大势所趋，国产厂商加速突围

全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步进阶，近年服务器NAND和DRAM应用占比持续增长，已成全球存储市场增长核心引擎。

(1)闪存模组：作为核心数据载体，企业级闪存模组除需满足高性能与大容量需求外，还需符合客户对使用寿命、运行稳定性、功耗控制等维度的严苛要求。竞争格局上，Solidigm和三星凭借技术生态与供应链整合能力占据主导地位;忆联、忆恒创源领跑国产品牌阵营，而大普微、浪潮、江波龙等本土厂商正持续提升研发能力与品牌溢价，凭借强劲发展势头加速突破市场壁垒。

(2)内存模组：内存模组是计算机架构的核心组成部分之一，主要作为CPU与硬盘的数据中转站，用于临时存储数据，其存储和读取速度远高于硬盘。相比于企业级闪存模组，企业级内存模组市场原厂高度垄断，独立品牌的模组厂市场份额仍较小，目前江波龙、海普存储(香农芯创子公司)已有企业级内存条相关产品，并实现量产销售，正在实现国产0-1突破。

风险提示：存储产品价格波动影响、下游需求不及预期。